[實用新型]芯片單獨壽命預測模塊有效
| 申請號： | 201821778643.9 | 申請日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN209028177U | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 項澹頤 | 申請（專利權）人： | 富士電機(中國)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹;張鑫 |
| 地址： | 200062 上海市普陀*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 檢測區域 阻抗 壽命預測模塊 阻抗檢測單元 本實用新型 判斷單元 綁定線 單獨地 檢測 劣化 預測 | ||
1.一種芯片單獨壽命預測模塊，能夠單獨地預測芯片的壽命以決定是否更換，其特征在于，包括：
芯片，將該芯片的一部分區域作為檢測區域；
阻抗檢測單元，該阻抗檢測單元通過綁定線連接至所述檢測區域，檢測所述檢測區域的阻抗作為所述芯片的阻抗；以及
判斷單元，該判斷單元根據所述阻抗檢測單元檢測到的所述芯片的阻抗，來判斷所述芯片的劣化是否超過預先設定的閾值，從而決定是否更換所述芯片單獨壽命預測模塊。
2.如權利要求1所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述判斷單元在所述芯片的阻抗大于規定值時，判斷所述芯片的劣化超過了所述閾值。
3.如權利要求2所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述判斷單元具備存儲部，該存儲部中相關聯地存儲有所述芯片的所述閾值和所述規定值。
4.如權利要求3所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述判斷單元還包括：
比較部，該比較部對所述芯片的阻抗和存儲在所述存儲部的所述規定值進行比較；以及
判斷部，該判斷部在所述阻抗大于所述規定值時，判斷所述芯片的劣化超過了所述閾值。
5.如權利要求1至4的任一項所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
還具備警報單元，該警報單元在所述判斷單元判斷所述芯片的劣化超過了所述閾值時，發出警報信息，提示操作人員該芯片單獨壽命預測模塊需要進行更換。
6.如權利要求1至4的任一項所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述阻抗檢測單元通過檢測所述檢測區域的電流和電壓來計算所述檢測區域的阻抗。
7.如權利要求6所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述阻抗檢測單元包括：
檢測所述檢測區域的電流的電流傳感器；
檢測所述檢測區域的電壓的電壓傳感器；以及
根據所述電流和所述電壓計算出所述檢測區域的阻抗的計算部。
8.如權利要求7所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述芯片為IGBT芯片。
9.如權利要求8所述的芯片單獨壽命預測模塊，其特征在于，
所述電流為所述IGBT芯片的發射極-集電極電流，所述電壓為所述IGBT芯片的發射極-集電極電壓。
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