[實用新型]半導(dǎo)體制程設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821778556.3 | 申請日: | 2018-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN208938918U | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張佑語;黃俊堯 | 申請(專利權(quán))人: | 麥豐密封科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艷青;姚開麗 |
| 地址: | 中國臺灣新北市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 上部組件 側(cè)壁表面 下部組件 半導(dǎo)體制程設(shè)備 環(huán)狀凹口 延伸部 承載 晶圓 延伸 | ||
1.一種半導(dǎo)體制程設(shè)備,承載一晶圓,其特征在于,包括:
上部組件,承載所述晶圓;
下部組件,承載所述上部組件,且具有側(cè)壁表面;
環(huán)狀凹口,位于所述下部組件及所述上部組件之間;以及
彈性體,具有相互連接的本體以及延伸部,其中所述本體設(shè)置于所述凹口內(nèi),所述延伸部凸出于所述本體以及所述側(cè)壁表面,且沿所述側(cè)壁表面延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括連接層,位于所述上部組件及所述下部組件之間,用以連接所述上部組件及所述下部組件。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括外側(cè)組件,環(huán)繞所述上部組件及所述下部組件且對應(yīng)于所述上部組件的外側(cè)表面及所述下部組件的所述側(cè)壁表面設(shè)置,其中所述外側(cè)組件與所述延伸部之間相隔一距離。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述下部組件還具有凸出部,朝所述外側(cè)組件方向凸出,且所述延伸部抵接所述凸出部。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述延伸部于所述彈性體的徑向方向上具有一寬度,且所述延伸部的所述寬度的范圍介于0.05mm至1.0mm之間。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括保護膜,設(shè)置于所述下部組件的所述側(cè)壁表面上,且位于所述下部組件以及所述彈性體之間。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括第一側(cè)壁防護組件,設(shè)置于所述側(cè)壁表面并抵接所述凸出部,用以保護所述側(cè)壁表面。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括第二側(cè)壁防護組件,設(shè)置于所述側(cè)壁表面并抵接所述第一側(cè)壁防護組件,用以保護所述側(cè)壁表面,其中所述第二側(cè)壁防護組件位于所述凸出部與所述第一側(cè)壁防護組件之間。
9.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述彈性體還具有至少一導(dǎo)角面,形成于所述本體的內(nèi)緣,且所述導(dǎo)角面為斜角或圓角。
10.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述延伸部于所述彈性體的軸向方向上具有一長度,且所述長度的范圍介于0.3mm至20mm之間。
11.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述彈性體具有氟化橡膠(Fluoro-elastomer)、全氟化橡膠(Perfluoro-elastomer)或氟硅橡膠(Fluorosilicone)材質(zhì)。
12.一種半導(dǎo)體制程設(shè)備,承載一晶圓,其特征在于,包括:
上部組件,承載所述晶圓,且具有第一側(cè)壁表面;
下部組件,承載所述上部組件,且具有第二側(cè)壁表面;
環(huán)狀凹口,位于所述下部組件及所述上部組件之間,且鄰接所述第一、第二側(cè)壁表面;以及
彈性體,具有相互連接的本體以及第一延伸部,其中所述本體設(shè)置于所述凹口內(nèi),所述第一延伸部凸出于所述本體以及所述第一側(cè)壁表面,且沿所述第一側(cè)壁表面延伸。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,所述彈性體還具有第二延伸部,所述第二延伸部凸出于所述本體以及所述第二側(cè)壁表面,且沿所述第二側(cè)壁表面延伸。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制程設(shè)備,其特征在于,還包括連接層,位于所述上部組件及所述下部組件之間,用以連接所述上部組件及所述下部組件。
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