[實(shí)用新型]一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821769393.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209056515U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張堯;霍亭亭;倪志春;魏青竹;連維飛;胡黨平 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 孫仿衛(wèi);李萍 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗槽 鍍膜設(shè)備 雙氧水 硅太陽(yáng)能電池 依次設(shè)置 清洗機(jī) 種晶 光電轉(zhuǎn)換效率 絲網(wǎng)印刷設(shè)備 氨水 本實(shí)用新型 硅片背面 硅片輸送 激光開(kāi)槽 刻蝕設(shè)備 拋光效果 氫氟酸槽 制絨設(shè)備 潔凈度 擴(kuò)散爐 拋光槽 氫氟酸 鹽酸 生產(chǎn) | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn),包括沿硅片輸送方向依次設(shè)置的制絨設(shè)備、第一鍍膜設(shè)備、堿拋光槽、清洗機(jī)、氫氟酸槽、擴(kuò)散爐、刻蝕設(shè)備、第二鍍膜設(shè)備、第三鍍膜設(shè)備、第四鍍膜設(shè)備、激光開(kāi)槽設(shè)備及絲網(wǎng)印刷設(shè)備,所述清洗機(jī)包括依次設(shè)置的第一清洗槽、第二清洗槽及第三清洗槽,所述第一清洗槽中盛有氫氟酸,所述第二清洗槽中盛有氨水、雙氧水、水,所述第三清洗槽中盛有鹽酸、雙氧水、水。生產(chǎn)的硅片背面拋光效果較好且潔凈度較好,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于晶硅太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域,特別涉及一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn)。
背景技術(shù)
在晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)中,傳統(tǒng)的單晶PERC電池(鈍化發(fā)射極背面接觸電池)背拋光采用鏈?zhǔn)皆O(shè)備通過(guò)硝酸進(jìn)行酸拋,拋光后反射率為30%左右。然而,現(xiàn)有的背面酸拋具有如下缺點(diǎn):反射率不夠高,背表面較粗糙,入射光利用率不高,且粗糙的背表面影響背面鈍化效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型旨在提供一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn),生產(chǎn)的硅片背面拋光效果較好且潔凈度較好,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn),包括沿硅片輸送方向依次設(shè)置的制絨設(shè)備、第一鍍膜設(shè)備、堿拋光槽、清洗機(jī)、氫氟酸槽、擴(kuò)散爐、刻蝕設(shè)備、第二鍍膜設(shè)備、第三鍍膜設(shè)備、第四鍍膜設(shè)備、激光開(kāi)槽設(shè)備及絲網(wǎng)印刷設(shè)備,所述清洗機(jī)包括依次設(shè)置的第一清洗槽、第二清洗槽及第三清洗槽,所述第一清洗槽中盛有氫氟酸,所述第二清洗槽中盛有氨水、雙氧水、水,所述第三清洗槽中盛有鹽酸、雙氧水、水。
進(jìn)一步地,還包括用于輸送硅片的傳輸網(wǎng)鏈,所述傳輸網(wǎng)鏈依次經(jīng)過(guò)所述第一清洗槽、所述第二清洗槽及所述第三清洗槽。
進(jìn)一步地,所述第一清洗槽、所述第二清洗槽、所述第三清洗槽的上方分別設(shè)有用于對(duì)所述傳輸網(wǎng)鏈進(jìn)行支撐和導(dǎo)向的導(dǎo)輪。
進(jìn)一步地,所述堿拋光槽中盛有氫氧化鈉。
進(jìn)一步地,還包括用于輸送硅片的輸送裝置。
進(jìn)一步地,所述第一鍍膜設(shè)備、第三鍍膜設(shè)備、第四鍍膜設(shè)備分別為PECVD鍍膜設(shè)備,所述第二鍍膜設(shè)備為ALD鍍膜設(shè)備或PECVD鍍膜設(shè)備。
本實(shí)用新型采用以上方案,相比現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn):
本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)中,在擴(kuò)散爐之前設(shè)置堿拋光槽,從而在擴(kuò)散之前先對(duì)硅片進(jìn)行堿拋光,然后再通過(guò)刻蝕設(shè)備進(jìn)行酸拋光,改善了硅片背面的拋光效果,使得硅片背表面更加平整,提高入射光反射率,更好利用入射光;也使得背面鈍化效果更好。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一種晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)線(xiàn)的示意圖;
圖2為圖1中清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解。在此需要說(shuō)明的是,對(duì)于這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助理解本實(shí)用新型,但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。此外,下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以互相結(jié)合。
實(shí)施例
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





