[實用新型]晶舟形變偵測系統有效
| 申請號: | 201821764430.0 | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN208848865U | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發明(設計)人: | 李天涯;周冬成;吳宗祐;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶舟 形變 掃描標記 偵測系統 抓手 掃描傳感器 晶圓 抓取 本實用新型 掃描結果 抓手表面 偵測 種晶 判定 掃描 | ||
該實用新型涉及一種晶舟形變偵測系統,包括:掃描標記,設置于所述晶舟頂部,并朝向抓手設置,所述晶舟用于放置晶圓;所述抓手能夠沿所述晶舟的高度方向運動以抓取所述晶舟內放置的晶圓;掃描傳感器,設置于所述抓手表面,用于掃描所述掃描標記,并通過掃描結果判定所述晶舟是否發生形變。采用本實用新型中的晶舟形變偵測系統,使得能通過抓手上設置的掃描傳感器以及設置在晶舟頂部的掃描標記實現對所述晶舟的形變的偵測。
技術領域
本實用新型涉及晶圓生產制造加工設備領域,具體涉及一種晶舟形變偵測系統。
背景技術
半導體制造工藝主要是進行多次的光刻工藝、刻蝕工藝和成膜工藝等,在晶圓上形成各種結構的半導體器件。很多半導體制作工藝都需要使用爐管設備。以熱氧化法為例,首先將反應氣體通入到高溫爐管內,使得反應氣體在爐管設備的反應腔室內發生化學反應,在晶圓的表面沉積一層薄膜;然后將晶圓從反應腔室取出,進行自然冷卻,并在冷卻后將晶圓傳送回晶圓盒。
現有技術中,由于爐管機臺的溫度比較高,并且預防養護的周期較長,放置在爐管機臺的腔室內的石英晶舟經過頻繁的高低溫轉換容易發生變形,特別是晶舟的中心位置。由于晶舟變形,晶片在晶舟上放置的區域變小,晶圓放置到變形的晶舟后,容易發生脫落,劃傷,造成晶圓的報廢,影響晶圓的產率。機械手臂在抓取晶片時也有可能與晶舟發生碰撞,造成更大損失。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種晶舟形變偵測系統,能夠對晶舟的形變進行偵測,使用戶能夠及時獲知晶舟發生的形變,防止抓手與晶舟碰撞造成損失,提高晶圓的產率。
為了解決上述技術問題,本實用新型中提供了一種晶舟形變偵測系統,包括:掃描標記,設置于所述晶舟頂部,并朝向抓手設置,所述晶舟用于放置晶圓,所述抓手能夠沿所述晶舟的高度方向運動以抓取所述晶舟內放置的晶圓;掃描傳感器,設置于所述抓手表面,用于掃描所述掃描標記,并通過掃描結果判定所述晶舟是否發生形變。
可選的,所述掃描傳感器包括:發送單元,用于向所述掃描標記發送掃描信號;接收單元,用于接收經所述掃描標記反射掃描信號形成的反射信號。
可選的,所述發送單元為激光信號發送單元,所述接收單元為激光信號接收單元。
可選的,所述掃描標記包括設置在所述晶舟表面的光滑表層,以及設置在晶舟內部,與所述光滑表層相對應的粗糙內層。
可選的,還包括控制器,分別連接至所述抓手以及所述掃描傳感器,用于根據所述抓手的位置控制所述掃描傳感器對所述掃描標記的掃描。
可選的,所述控制器對所述掃描傳感器的控制包括:在所述抓手位于第一預設位置時,控制所述掃描傳感器對掃描標記進行掃描。
可選的,所述控制器對所述掃描傳感器的控制還包括:若所述接收單元在所述抓手位于第一預設位置時未接收到反射信號,則繼續掃描至所述抓手位于第二預設位置。
可選的,所述第一預設位置的高度值與所述晶舟未發生形變時掃描標記的高度值相等,所述第二預設位置的高度值與所述晶舟被允許發生的最大形變量相關,為所述晶舟未發生形變時掃描標記的高度值減去所述晶舟被允許發生的最大形變量。
可選的,還包括:報警單元,與所述掃描傳感器相連接,用于在所述掃描傳感器未掃描到所述掃描標記時發出警報。
可選的,還包括:繼電器,分別連接所述掃描傳感器以及所述抓手,用于根據所述掃描傳感器的掃描結果控制所述抓手的晶圓抓取動作;當所述掃描傳感器掃描到所述晶舟發生形變時,所述繼電器控制所述抓手停止晶圓抓取動作,所述報警單元發出警報。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





