[實用新型]一種垂直腔面發射激光芯片有效
| 申請號： | 201821762316.4 | 申請日： | 2018-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN208738609U | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根;陳偉明;許勇輝;郭河 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化區 氧化層 垂直腔面發射 激光芯片 襯底 本實用新型 第一表面 橫向擴展 中心區域 不導電 半波 減小 | ||
【權利要求書】：
1.一種垂直腔面發射激光芯片，其特征在于，包括襯底、依次位于所述襯底第一表面的N型DBR層、第一氧化層、MQW層、第二氧化層和P型DBR層；
所述第一氧化層包括位于中心的第一未氧化區和位于所述第一未氧化區四周的第一氧化區；所述第二氧化層包括位于中心的第二未氧化區和位于所述第二未氧化區四周的第二氧化區；
其中，所述第一氧化區和所述第二氧化區不導電，且所述第一未氧化區的面積小于所述第二未氧化區的面積。
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，在垂直于所述襯底的方向上，所述第二未氧化區的投影完全覆蓋所述第一未氧化區的投影。
3.根據權利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述第一氧化層中Al離子的含量大于所述第二氧化層中Al離子的含量，以使所述第一未氧化區的面積小于所述第二未氧化區的面積。
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