[實用新型]一種多光束垂直腔面發射激光芯片有效
| 申請號: | 201821762280.X | 申請日: | 2018-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN208707076U | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根;陳偉明;許勇輝;郭河 | 申請(專利權)人: | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/183 | 分類號: | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 361100 福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多束光 透明層 垂直腔面發射 激光芯片 出射 干涉 本實用新型 衍射光柵 出射光 多光束 衍射光 狹縫 芯片 出光區域 二次配光 光源模組 亮度需求 減小 | ||
本實用新型提供了一種多光束垂直腔面發射激光芯片,垂直腔面發射激光芯片的出光區域具有第一透明層以及位于所述第一透明層表面的第二透明層;所述第一透明層具有將所述芯片的出射光分成多束光的衍射光柵;所述第二透明層具有使所述衍射光出射的多束光進行干涉加強的干涉狹縫。因此,本實用新型不僅可以通過衍射光柵將芯片的出射光分成多束光,實現一個垂直腔面發射激光芯片出射多束光、減小光源模組的體積的目的,而且可以通過干涉狹縫對衍射光出射的多束光進行干涉加強,以在不進行二次配光的情況下,增加出射的多束光的亮度,使得出射的多束光滿足一定的亮度需求。
技術領域
本實用新型涉及光電技術領域,更具體地說,涉及一種多光束垂直腔面發射激光芯片。
背景技術
VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,垂直腔面發射激光)芯片,因具有體積小、圓形輸出光斑、單縱模輸出、閾值電流小、價格低廉和易集成為大面積陣列等優點,而被廣泛應用在光通信、光互連和光存儲等領域。
但是,由于一個VCSEL芯片只能出射一束光,因此,現有的光源模組在需要多束光時,都是采用多個VCSEL芯片來發出多束光,或者,在VCSEL芯片的出射光路上設置光程較長的光柵來將一束光分成多束光,這樣就會導致光源模組的體積較大,不利于實際應用的需求。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提供了一種多光束垂直腔面發射激光芯片,以提供一種能夠出射多個光束的VCSEL芯片,減小光源模組的體積。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種多光束垂直腔面發射激光芯片,垂直腔面發射激光芯片的出光區域具有第一透明層以及位于所述第一透明層表面的第二透明層;
所述第一透明層具有將所述芯片的出射光分成多束光的衍射光柵;
所述第二透明層具有使所述衍射光出射的多束光進行干涉加強的干涉狹縫。
可選地,所述衍射光柵包括多個第一狹縫,所述干涉狹縫包括多個第二狹縫;
所述第二狹縫在所述芯片所在平面上的投影位于相鄰的兩個所述第一狹縫在所述芯片所在平面上的投影之間;
所述第二狹縫和所述第一狹縫在垂直于所述芯片所在平面方向上的間距等于所述芯片出射光波長的整數倍。
可選地,所述芯片包括襯底、依次位于所述襯底第一表面的N型DBR層、MQW層、P型DBR層、緩沖層和第一電極、位于所述襯底第二表面的第二電極;
其中所述第一表面和所述第二表面為所述襯底相對的兩個表面,所述出光區域為所述緩沖層未被所述第一電極覆蓋的區域。
可選地,所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影的形狀與所述出光區域在所述芯片所在平面上的投影的形狀對應。
可選地,所述出光區域在所述芯片所在平面上的投影的形狀為圓形,所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影為圓環形;
或者,所述出光區域在所述芯片所在平面上的投影的形狀為方形,所述狹縫在所述芯片所在平面上的投影為方環形。
可選地,所述透明層的材料為玻璃。
與現有技術相比,本實用新型所提供的技術方案具有以下優點:
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