[實用新型]一種改進了分壓環頂角的VDMOS

有效

• 申請號: 201821757627.1
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN208753330U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 林美玉
• 申請（專利權）人: 廣州市力馳微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及微電子技術領域，尤其是一種改進了分壓環頂角的VDMOS；它包括四個頂角區域、四個直道區域和一個主結，至少一個頂角區域中其各個分壓環的半徑與主結的半徑相等或者至少一個分壓環的半徑大于主結的半徑且小于主結半徑的倍；優化VDMOS頂角分壓環設計，改善原頂角的球面PN結提升產品耐壓；不增加芯片長跟寬，不增加芯片成本；實施簡單，無特殊新增工步要求，跟傳統工藝制程兼容。

技術領域

本實用新型涉及微電子技術領域，尤其是一種改進了分壓環頂角的VDMOS。

背景技術

VDMOS是80年代以來發展迅猛的一種半導體功率器件，其在高壓大電流領域的貢獻非常大。VDMOS的設計主要分兩個部分，一個是元胞區域，一個是邊緣分壓環區域。元胞區域主要是電流通路，在VDMOS的漏極加高壓時，元胞區域的PN結耗盡區近似為平行平面結，耐壓比較高，若邊緣不做任何處理，那么邊緣就是柱面結，由PN結耐壓理論可得，柱面結耐壓會明顯低于平行平面結，所以需要在芯片外圈做分壓環的設計，盡可能消除柱面結的影響，使得VDMOS能夠承受更高的電壓。

VDMOS的整體外形通常為正方形或長方形，那么外圈的分壓環就會分兩個部分，一部分是四邊的直道區域，另一部分是四個頂角的區域。傳統分壓環的頂角區域設計均為第一個環即主結的同心圓，使得頂角區域的環尺寸跟環間距保持跟直道區域一致，但是由PN結耐壓理論可得，頂角區域實際為球面結，若尺寸設計跟直道的一致，注定會成為耐壓最薄弱的地方。

發明內容

針對現有技術的不足，本實用新型提供一種改進的VDMOS分壓環頂角。本實用新型通過對分壓環頂角區域的優化設計，將傳統的主結同心圓設計改為主結同半徑設計，這樣在保證主結的耐壓的同時，提升頂角區域的分壓環尺寸跟分壓環間距，弱化球面結的影響，提升產品耐壓跟可靠性。

本實用新型的技術方案為：

一種改進了分壓環頂角的VDMOS，它包括四個頂角區域、四個直道區域和一個主結，其特征在于：至少一個頂角區域中其各個分壓環的半徑與主結的半徑相等或者至少一個分壓環的半徑大于主結的半徑且小于主結半徑的倍。

其中一個實施例中，所述四個頂角區域的分壓環的半徑與主結的半徑相等。

其中一個實施例中，所述四個頂角區域中的三個的分壓環的半徑與主結的半徑相等。

其中一個實施例中，所述四個頂角區域中的二個的分壓環的半徑與主結的半徑相等。

其中一個實施例中，所述四個頂角區域中的一個的分壓環的半徑與主結的半徑相等。

其中一個實施例中，所述四個頂角區域中的其中一個分壓環的半徑大于主結的半徑且小于主結半徑的倍。

本實用新型的有益效果為：優化VDMOS頂角分壓環設計，改善原頂角的球面PN結提升產品耐壓；不增加芯片長跟寬，不增加芯片成本；實施簡單，無特殊新增工步要求，跟傳統工藝制程兼容。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例1的其中一個分壓環頂角結構示意圖；

圖2為現有技術的其中一個分壓環頂角結構示意圖；

圖3為現有技術的分壓環頂角與實施例1的分壓環頂角的截面圖；

圖4-7為現有技術分壓環的制作流程。

圖中，1、頂角區域；2、直道區域；3、主結；4、分壓環。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步說明：

實施例1