[實(shí)用新型]一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821744672.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208873769U | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫俊杰;高紅麗;鄧金祥;韓昌報(bào);張永哲;嚴(yán)輝;張浩;陳亦川;孟琦;肖悅悅;宋雪梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 張立改 |
| 地址: | 100124 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦層 嵌入型 電子傳輸層 空穴傳輸層 太陽(yáng)能電池 分層結(jié)構(gòu) 鈣鈦礦 吸光層 太陽(yáng)能電池技術(shù) 一維導(dǎo)電材料 載流子遷移率 本實(shí)用新型 兩層 嵌入 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,在電子傳輸層和空穴傳輸層中間的鈣鈦礦層分為兩層,接近電子傳輸層的鈣鈦礦層為一維導(dǎo)電材料嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層,在碳納米管嵌入型鈣鈦礦層與空穴傳輸層之間為未嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層,未嵌入型的常規(guī)鈣鈦礦層相對(duì)于碳納米管嵌入型鈣鈦礦層厚度較薄。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,一維導(dǎo)電材料嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層為一維導(dǎo)電材料嵌入均勻分散嵌入到鈣鈦礦層中;未嵌入型的常規(guī)鈣鈦礦層為相對(duì)于一維導(dǎo)電材料嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層而言鈣鈦礦層中沒有嵌入一維導(dǎo)電材料。
3.按照權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,一維導(dǎo)電材料直徑小于一維導(dǎo)電材料嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層厚度,以免影響鈣鈦礦層的結(jié)晶。
4.按照權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,一維導(dǎo)電材料選自單壁碳納米管。
5.按照權(quán)利要求4所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,單壁碳納米管的長(zhǎng)度為300-600nm,嵌入的密度為1×105―1×1010根/cm3。
6.按照權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,一維導(dǎo)電材料嵌入型結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦層厚度占鈣鈦礦層總厚度的80%。
7.按照權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu),其特征在于,一維材料直徑小于等于10nm,鈣鈦礦層總厚度為650nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京工業(yè)大學(xué),未經(jīng)北京工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821744672.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 一種階梯式吸收層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法
- 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池
- 一種高分辨率的鈣鈦礦電致發(fā)光器件及其制備方法
- 卷對(duì)卷生產(chǎn)鈣鈦礦層的方法及得到的鈣鈦礦層和鈣鈦礦型電池
- 一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu)
- 一種高分辨率的鈣鈦礦電致發(fā)光器件
- 一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池吸光層分層結(jié)構(gòu)
- 一種平面無摻雜異質(zhì)結(jié)-鈣鈦礦疊層電池及其制備方法
- 一種平面無摻雜異質(zhì)結(jié)-鈣鈦礦疊層電池
- 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、疊層太陽(yáng)能電池以及電池組件





