[實用新型]液晶膜驅(qū)動電路及液晶手寫裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821742237.7
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN208938625U
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣凌鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市唯酷光電有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳市華勤知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44426
• 代理人: 隆毅

本實用新型公開一種液晶膜驅(qū)動電路及手寫裝置，該液晶膜驅(qū)動電路包括：振蕩模塊，用于輸出方波信號；升壓整流模塊，包括NPN三極管、電感、肖特基二極管和第一電容，NPN三極管的基極與振蕩模塊連接，NPN三極管的發(fā)射極接地，NPN三極管的集電極分別與肖特基二極管的正端和電感的一端連接，電感的另一端與外部電源連接，肖特基二極管的負端與第一電容的一端連接，第一電容的另一端接地，肖特基二極管的負端為用于與液晶膜連接的電源Vout端。本實用新型可解決現(xiàn)有技術(shù)中液晶手寫膜的驅(qū)動電路較為復雜成本較高的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及液晶手寫膜領(lǐng)域，具體涉及一種液晶膜驅(qū)動電路及液晶手寫裝置。

背景技術(shù)

液晶手寫膜是一種新型的壓力敏感性書寫技術(shù)，對液晶膜施加壓力，液晶膜內(nèi)的液晶分子排列發(fā)生變化，從而對特定波長的光產(chǎn)生反射，進而顯現(xiàn)字跡。當給液晶膜施加足夠強的電場時，液晶分子因壓力產(chǎn)生的變化會被電場改變恢復原態(tài)，對光呈現(xiàn)透射效果，人眼觀察上表現(xiàn)為字跡消失。現(xiàn)有技術(shù)中液晶手寫膜的驅(qū)動電路較為復雜、成本較高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的主要目的是提出一種液晶膜驅(qū)動電路，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，液晶手寫膜的驅(qū)動電路較為復雜、成本較高的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出一種液晶膜驅(qū)動電路，該液晶膜驅(qū)動電路包括：

振蕩模塊，用于輸出方波信號；

升壓整流模塊，包括NPN三極管、電感、肖特基二極管和第一電容，所述NPN三極管的基極與所述振蕩模塊連接，所述NPN三極管的發(fā)射極接地，所述NPN三極管的集電極分別與所述肖特基二極管的正端和所述電感的一端連接，所述電感的另一端與外部電源連接，所述肖特基二極管的負端與所述第一電容的一端連接，所述第一電容的另一端接地，所述肖特基二極管的負端為用于與液晶膜連接的電源Vout端。

優(yōu)選地，所述振蕩模塊包括一端接地的第二電容、與所述第二電容的另一端串聯(lián)的第一電阻以及與第一電阻并聯(lián)的施密特觸發(fā)器。

優(yōu)選地，所述振蕩模塊還包括分別與所述施密特觸發(fā)器和所述第一電阻串聯(lián)的第二電阻。

優(yōu)選地，所述NPN三極管由N溝道MOS管替代，所述N溝道MOS管的源極接地，所述N溝道MOS管的漏極與所述電感連接，所述N溝道MOS管的柵極與第二電阻連接。

優(yōu)選地，所述第一電容的兩端還并聯(lián)有第三電阻。

優(yōu)選地，所述振蕩模塊為MCU芯片。

本實用新型還提出一種液晶手寫裝置，所述液晶手寫裝置包括上述的液晶膜驅(qū)動電路；所述液晶膜驅(qū)動電路包括：振蕩模塊，用于輸出方波信號；

升壓整流模塊，與所述振蕩模塊連接以接收所述方波信號，并根據(jù)所述方波信號對外部電源輸入的電壓進行升壓處理以加載在所述液晶膜上。

本實用新型通過設(shè)置包括振蕩模塊以及升壓整流模塊的驅(qū)動電路，相對現(xiàn)有的電路具備結(jié)構(gòu)簡單的特點，有效地降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例中液晶膜驅(qū)動電路的電路圖。

具體實施方式

下面將詳細描述本實用新型的實施例，實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同標號表示相同的元件或具有相同功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本實用新型，而不能理解為對本實用新型的限制，基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。