[實用新型]集成式生物傳感器芯片有效
| 申請號: | 201821741609.4 | 申請日: | 2018-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN209167197U | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 李冠華;顏丹;劉福龍;董青龍 | 申請(專利權)人: | 深圳市刷新智能電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/416 | 分類號: | G01N27/416 |
| 代理公司: | 深圳眾贏通寶知識產權代理事務所(普通合伙) 44423 | 代理人: | 翁治林 |
| 地址: | 518040 廣東省深圳市福田區沙頭街道天安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電孔 基材層 信號采集電路 連接電路 凹槽處 生物傳感器芯片 工作電極 集成式 下表面 生物信號采集 信號采集電極 信號傳輸路徑 本實用新型 微納米結構 采集電路 電流信號 堆疊連接 連接信號 信號干擾 微量元素 集成度 上表面 電極 集成電路 出線 芯片 | ||
1.一種集成式生物傳感器芯片,其特征在于,包括第一基材層(11)、第二基材層(12)、信號采集電路(2)和工作電極(31);
所述信號采集電路(2)設置于所述第二基材層(12)上;
所述第一基材層(11)的上表面設置有第一凹槽(111)和第二凹槽(112),所述第一基材層(11)設置有第一穿晶導電孔(113)和第二穿晶導電孔(114),所述第一穿晶導電孔(113)設置于所述第一凹槽(111)處,所述第一基材層(11)的下表面設置有第一連接電路(115),所述第一連接電路(115)連接所述第二穿晶導電孔(114)和第一穿晶導電孔(113)的下表面;
所述工作電極(31)設置于所述第一凹槽(111)處,所述第二基材層(12)設置于所述第二凹槽(112)處;
所述工作電極(31)通過所述第一穿晶導電孔(113)、第一連接電路(115)和第二穿晶導電孔(114)連接所述信號采集電路(2)。
2.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述信號采集電路(2)設置于所述第二基材層(12)的下表面,所述第二穿晶導電孔(114)設置于所述第二凹槽(112)處,所述第二穿晶導電孔(114)的上部連通所述信號采集電路(2)。
3.如權利要求2所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述信號采集電路(2)設置有導電凸點(21);
所述導電凸點(21)為焊球,所述焊球通過倒裝工藝焊接在所述第二穿晶導電孔(114)的上部;或,
所述導電凸點(21)通過導電膠粘接在所述第二穿晶導電孔(114)上。
4.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述信號采集電路(2)設置于所述第二基材層(12)的上表面,所述信號采集電路(2)通過引線鍵合工藝連接在所述第一基材層(11)的上表面的導電焊盤(116)處;
所述第二凹槽(112)為臺階式凹槽,所述第二基材層(12)設置于所述第二凹槽(112)的底部或較低級臺階,所述導電焊盤(116)設置于較高級臺階;
所述導電焊盤(116)與所述第二穿晶導電孔(114)的上表面連接。
5.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述工作電極(31)的表面設置有生物信號反應膜層(6);
所述生物信號反應膜層(6)為生物酶膜、離子選擇性膜、或其他具備選擇性的金屬層或高分子膜層。
6.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述第一基材層(11)和第二基材層(12)為硅基層、砷化鎵基材層、碳納米管基材層或石墨烯基材層或陶瓷基材層。
7.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,還包括參比電極(32);所述參比電極(32)位于所述第一基材層(11)的上部,所述參比電極(32)位于所述工作電極(31)的周側;
所述參比電極(32)連接所述信號采集電路(2)。
8.如權利要求7所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述第一凹槽(111)為臺階式凹槽,所述工作電極(31)設置于所述第一凹槽(111)的底部或較低級臺階,所述參比電極(32)設置于較高級臺階。
9.如權利要求8所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述第一基材層(11)設置有第三穿晶導電孔(117)和第四穿晶導電孔(118),所述第三穿晶導電孔(117)設置于所述第一凹槽(111)的較高級臺階處,所述第一基材層(11)的下表面設置有第二連接電路(119),所述第二連接電路(119)連接所述第四穿晶導電孔(118)和第三穿晶導電孔(117)的下表面;
所述參比電極(32)通過所述第三穿晶導電孔(117)、第二連接電路(119)和第四穿晶導電孔(118)連接所述信號采集電路(2)。
10.如權利要求1所述集成式生物傳感器芯片,其特征在于,所述第一基材層(11)的上表面還設置有第三連接電路(110),所述第三連接電路(110)的高度高于所述第二基材層(12)的上表面,所述第三連接電路(110)的高度高于所述工作電極(31)的上表面。
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