[實用新型]CSP封裝結構

有效

• 申請號: 201821736739.9
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN209169166U
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 羅雪方;陳文娟;瞿澄;薛水源;羅子杰
• 申請（專利權）人: 江蘇羅化新材料有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/64
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本實用新型公開了一種CSP封裝結構，包括：芯片、設置在芯片兩側并與芯片熱壓式連接的白墻膜、設置在所述芯片的出光面和白墻膜上的熒光膜以及覆蓋在芯片的電極和白墻膜表面的沉積材料。本實用新型采用金屬沉積外延生長的方式對芯片的電極進行延伸擴大，有效解決了的倒裝芯片中因電極尺寸小而導致的不易貼片和焊接的問題。

技術領域

本實用新型涉及芯片封裝領域，特別涉及一種CSP封裝結構。

背景技術

CSP（Chip Scale Package，芯片級尺寸封裝），它由位于中心的倒裝芯片、圍繞倒裝芯片四周的熒光膠組成。使用時直接將CSP光源通過焊料焊接在基板上即可實現出光，省去焊線工序，因而提高了封裝效率。CSP LED最顯著的優點是光效高，但目前市面上的CSP燈珠都存在一些問題：

1、倒裝芯片受電極的尺寸限制，不易于貼片和焊接操作；

2、芯片電極小，焊接后，燈珠易發生轉動；

3、芯片電極尺寸小，因而傳熱面積也小，導致芯片產生的熱量無法及時散出，繼而加速了光衰，降低了光源信賴性、安全性，最終使得光源壽命縮短。

實用新型內容

本實用新型提供一種CSP封裝結構，以解決現有技術中存在的上述技術問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種方便CSP焊接的側壁電機增大制作工藝，包括：將芯片排列成矩陣結構，所述芯片的電極朝上，芯片的出光面通過固晶膜貼合于定位玻璃上；將預制好的白墻膜與排列好的芯片進行熱壓，使用定高片對白墻膜定高后，將帶有白墻膜和芯片的光罩玻璃放置到氮氣烤箱中進行烘烤；對芯片的電極表面的白墻膜進行鉆孔，其中，電極表面處的鉆孔的孔徑為電極表面積的1.1~1.5倍，鉆孔至完全漏出電極后再繼續向下鉆孔1-2μm；對鉆孔后的電極表面進行金屬沉積外延生長處理，外延生長方式為磁控濺射、電鍍，電鑄或者化學鍍中的一種或多種；將熒光膜熱壓到芯片的出光面上并在控制厚度后，將帶有熒光膜的工件放置到氮氣烤箱中進行烘烤；使用鉆石切割刀或者樹脂切割刀切割上述工件得到CSP燈珠。

作為優選，在對芯片表面和相鄰兩芯片之間的白墻膜進行鉆孔之前，還包括：將定位玻璃置于真空吸盤上，并使用塑料板插入固晶膜與定位玻璃之間，從而將固晶膜與定位玻璃分離，接著，將真空吸盤吸附在所述白墻膜上，并將固晶膜與帶芯片的白墻膜分離。

作為優選，所述真空吸盤的材質為多空隙陶瓷，并且所述真空吸盤的真空度在100Pa以下。

作為優選，還包括：使用滾輪推動白墻膜，使所述白墻膜緊密貼附于排片膜上。

作為優選，排列芯片時，所述芯片的排列精度為±5μm，角度偏轉小于1°，芯片與芯片之間的間距為0.376~0.466μm或0.5~0.52mm。

作為優選，所述固晶膜為兩面均涂刷有熱解膠的PET膜，所述白墻膜采用有機硅、環氧樹脂和二氧化鈦中的一種或兩種。

作為優選，兩次烘烤的溫度均為150°，烘烤時間為3h。

作為優選，進行金屬沉積外延生長處理時，采用的沉積材料為Cu、Ni、Pt和Au中的一種或多種，沉積的厚度為5~20μm。

作為優選，進行金屬沉積外延生長處理時，在芯片的兩個電極之間白墻膜進行貼膜或噴涂化學試劑，使白墻膜表面無金屬沉積。

作為優選，切割時，采用的切割機為鉆石砂輪切割機，轉速為10000r/min，切割速度為100mm/s。

本實用新型還提供一種CSP封裝結構，包括：芯片、設置在芯片兩側并與芯片熱壓式連接的白墻膜、設置在所述芯片的出光面和白墻膜上的熒光膜以及覆蓋在芯片的電極和白墻膜表面的沉積材料。

作為優選，所述白墻膜表面與電極對應位置處設置有容納所述沉積材料的鉆孔。