[實用新型]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821733987.8 | 申請日: | 2018-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN208706653U | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳川 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第一金屬層 第二金屬層 有效顯示區(qū) 襯底基板 顯示面板 投影區(qū) 本實用新型 方向投影 顯示裝置 外輪廓 絕緣層 上層金屬層 雙層金屬層 密封性較 貼合 鄰近 腐蝕 覆蓋 保證 | ||
本實用新型公開一種顯示面板和顯示裝置,所述顯示面板包括有效顯示區(qū)和鄰近所述有效顯示區(qū)的非有效顯示區(qū),顯示面板還包括襯底基板;第一金屬層,所述第一金屬層貼合于所述襯底基板的一表面,所述第一金屬層沿第一方向投影于所述襯底基板形成第一投影區(qū);第二金屬層,所述第二金屬層位于所述第一金屬層的正上方,所述第二金屬層沿第一方向投影于所述襯底基板形成第二投影區(qū);所述第二投影區(qū)的外輪廓位于所述第一投影區(qū)的外輪廓內(nèi);所述第一金屬層和所述第二金屬層均位于所述非有效顯示區(qū)。本實用新型技術(shù)方案旨在保證絕緣層對雙層金屬層進行覆蓋時,密封性較好,從而避免上層金屬層被腐蝕,提高產(chǎn)品質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板和具有該顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)
目前隨著低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)觸控顯示面板的發(fā)展,對生產(chǎn)工藝和設(shè)計的要求越來越高。在OLED背板工藝中,越來越多地應(yīng)用到兩層金屬層的工藝結(jié)構(gòu),即為了提高顯示面板的像素,設(shè)置雙層的用于共電極信號傳輸?shù)慕饘賹樱⑶以陔p層金屬層上均鋪設(shè)絕緣層,以實現(xiàn)對金屬層的絕緣,而便于其他顯示面板部件的鋪設(shè)。但是由于一般雙層金屬的尺寸大小一致,由于鋪設(shè)絕緣層的工藝為等厚鋪設(shè),導致在對上層金屬進行覆蓋時,在下層金屬層出形成臺階,臺階處的頂層絕緣層的覆蓋性不好,從而上層金屬層的顯露,進而導致上層金屬層出現(xiàn)腐蝕,影響產(chǎn)品質(zhì)量。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的主要目的是提供一種顯示面板,旨在保證絕緣層對雙層金屬層進行覆蓋時,密封性較好,從而避免上層金屬層被腐蝕,提高產(chǎn)品質(zhì)量。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供的顯示面板,所述顯示面板包括有效顯示區(qū)和鄰近所述有效顯示區(qū)的非有效顯示區(qū),所述顯示面板還包括:
襯底基板;
第一金屬層,所述第一金屬層貼合于所述襯底基板的一表面,所述第一金屬層沿第一方向投影于所述襯底基板形成第一投影區(qū);
第二金屬層,所述第二金屬層位于所述第一金屬層的正上方,所述第二金屬層沿第一方向投影于所述襯底基板形成第二投影區(qū);
所述第二投影區(qū)的外輪廓位于所述第一投影區(qū)的外輪廓內(nèi);
所述第一金屬層和所述第二金屬層均位于所述非有效顯示區(qū)。
可選地,所述第一投影區(qū)的外輪廓為矩形;
且/或,所述第二投影區(qū)的外輪廓為矩形。
可選地,所述第一金屬層具有相鄰設(shè)置的第一邊緣和第二邊緣,所述第二金屬層在第二邊緣之延伸方向的投影尺寸小于所述第二邊緣。
可選地,所述第二金屬層在所述第二邊緣之延伸方向的投影尺寸分別與所述第二邊緣的兩端部形成距離x1和距離x2,所述距離x1為:0<x1≤50μm;
所述距離x2為:0<x2≤50μm。
可選地,所述距離x1為:3≤x1≤30μm;
且/或,所述距離x2為:3≤x2≤30μm。
可選地,所述x1與所述x2相等;
或者,所述x1與所述x2的關(guān)系為:x1>x2;
或者,所述x1與所述x2的關(guān)系為:x1<x2。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





