[實用新型]一種高濕熱可靠性的厚膜電阻

有效

• 申請號: 201821731580.1
• 申請日: 2018-10-25
• 公開（公告）號: CN209000659U
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 張天仁;許校藝;徐承哲;黃海波
• 申請（專利權）人: 大毅科技電子（東莞）有限公司;華為技術有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/142;H01C1/032
• 代理公司: 廣州市一新專利商標事務所有限公司 44220
• 代理人: 劉興耿

本實用新型公開了一種高濕熱可靠性的厚膜電阻，包括基層；所述基層頂面兩端設有頂部電極，底部兩端設有底部電極，左右外側設有連接電極；所述頂部電極之間設有電阻層，頂部設有電極保護層；所述電極保護層、所述連接電極和所述底部電極外覆蓋有焊層；所述焊層頂部設有一開口；所述開口內設有外保護層；還包括有材料為二氧化硅的電阻保護層；所述電阻保護層為雙層結構，其包括上電阻保護層和下電阻保護層；本實用新型通過設置了上、下電阻保護層，使得電阻層頂部完全被電阻保護層覆蓋，并且二氧化硅化學性質穩定，具有很好的防水性能，防止了在高溫高濕場景下，電阻被濕氣直接侵入電阻膜形成液體水，形成并聯效應，造成阻值衰減的情況。

技術領域

本實用新型涉及厚膜電阻技術領域，特別涉及一種高濕熱可靠性的厚膜電阻。

背景技術

芯片電阻是一般的被動組件，主要用于建立和維護電子零件中所需的安全電流范圍。包括：車用芯片電阻、一般厚膜芯片電阻、薄膜高精密度高穩定性芯片電阻、電流感測芯片電阻、芯片排阻、抗硫化芯片電阻、高壓芯片電阻、抗突波芯片電阻、鎳金（Ni/Au）端電極電阻、微調電阻，以及射頻衰減器。

而厚膜電阻在高溫高濕場景下，濕氣會穿透電阻防護層。因為電阻在激光鐳射調整阻值后，玻璃層會出現退縮，電阻層外露，造成濕氣直接侵入電阻膜形成液體水，改變電阻膜導電鏈系統，形成并聯效應，造成阻值衰減，而且由于電阻四周有塑封料包裹，潮氣不能及時揮發，阻值很難快速恢復到正常值。

而現有技術的應對方法是將環氧樹脂外保護層由單層結構增加為雙層結構，進行濕熱防護，提升性能。但是環氧樹脂吸水率大，對電阻進行調阻后會造成電阻層直接與環氧樹脂外保護層接觸，容易發生濕熱問題。因此，需要改進。

實用新型內容

本實用新型的目的就在于提供一種高濕熱可靠性的厚膜電阻，以解決上述問題。

本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的：

一種高濕熱可靠性的厚膜電阻，包括有基層；所述基層頂面兩端設有頂部電極，底部兩端設有底部電極，左右外側設有連接電極；所述頂部電極之間設有電阻層，頂部設有電極保護層；所述電極保護層、所述連接電極和所述底部電極外覆蓋有焊層；所述焊層頂部設有一開口；所述開口內設有外保護層；還包括有材料為二氧化硅（Si O₂）的電阻保護層；所述電阻保護層為雙層結構，其包括上電阻保護層和下電阻保護層；所述下電阻保護層覆蓋所述電阻層的頂部；所述上電阻保護層設置于所述下電阻保護層和所述外保護層之間。

進一步的，所述基層的材料為氧化鋁（Al₂O₃）。

進一步的，所述頂部電極和所述底部電極的材料均為銀（Ag）。

進一步的，所述連接電極的材料為鎳鉻合金（NiCr alloy）。

進一步的，所述外保護層的材料為環氧樹脂（Epoxy）。

進一步的，所述焊層的材料從以下材料中選取：鎳、錫（Ni、Sn）。

進一步的，所述電阻層材料從以下材料中選取：氧化釕、二氧化硅（RuO₂、Si O₂）。

本實用新型的有益效果在于，通過在電阻層的頂部覆蓋材料為二氧化硅（Si O₂）的下電阻保護層，并使用激光鐳射對所述電阻層進行電阻值的調整，調整完畢后，在所述下電阻保護層頂部再覆蓋上材料為二氧化硅（Si O₂）的上電阻保護層；使得電阻層頂部完全被電阻保護層覆蓋，并且二氧化硅化學性質穩定，具有很好的防水性能，防止了在高溫高濕場景下，電阻被濕氣直接侵入電阻膜形成液體水，形成并聯效應，造成阻值衰減的情況。

附圖說明

圖1為本實用新型的局部結構示意圖；