[實用新型]一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置有效
| 申請號: | 201821729265.5 | 申請日: | 2018-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN209150054U | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 田杰成;陳益民 | 申請(專利權)人: | 湖南艾科威智能裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 長沙心智力知識產權代理事務所(普通合伙) 43233 | 代理人: | 謝如意 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙市雨花*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化爐 石英管 進氣口 補氣 氧化膜厚 反應管 均勻性 硅片 本實用新型 流量控制閥 壓力控制儀 石英爐門 測壓口 口位置 量控制 爐口 石英 實時控制 壓力穩定 進氣量 測壓 監測 | ||
1.一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置,包括石英爐門(1)和連接著石英爐門(1)用于硅片氧化的石英管(2),其特征在于:位于所述石英管(2)管口位置分別設有石英管測壓口(4)和補氣進氣口(5),所述石英管測壓口(4)和補氣進氣口(5)之間連接有進量控制系統(6);
所述進量控制系統(6)包括壓力控制儀(7)和流量控制閥(8),所述石英管測壓口(4)實時監測氧化爐反應中石英管(2)管口的壓力,并通過所述壓力控制儀(7)結合流量控制閥(8)對所述補氣進氣口(5)補氣進氣量進行實時控制。
2.根據權利要求1所述的一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置,其特征在于:所述石英管(2)的尾部設有提供反應氣體的工藝氣體進氣管(3),在所述石英管(2)管口附近設有廢氣排氣管(9)。
3.根據權利要求1所述的一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置,其特征在于:所述石英管測壓口(4)和補氣進氣口(5)分別連接著壓力傳感器(10)和補氣管路。
4.根據權利要求1所述的一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置,其特征在于:所述補氣進氣口(5)補充的氣體為氮氣。
5.根據權利要求1所述的一種可提升氧化爐爐口硅片氧化膜厚均勻性的裝置,其特征在于:所述流量控制閥(8)采用質量流量控制器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





