[實用新型]一種抑制浮體效應的新型SOI器件

有效

• 申請號: 201821728293.5
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN208422920U
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 黃瑞;周廣正;代京京
• 申請（專利權）人: 中證博芯（重慶）半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 重慶信航知識產權代理有限公司 50218
• 代理人: 穆祥維

1.一種抑制浮體效應的新型SOI器件，其特征在于，包括SOI襯底，所述SOI襯底包括從下往上依次層疊的底部硅層、中間BOX埋層和頂層硅膜，所述頂層硅膜的兩側形成有淺槽隔離層，所述頂層硅膜中注入有P離子形成P型硅，所述頂層硅膜的上表面依次設有柵極氧化物和柵電極，所述柵極氧化物和柵電極組成柵極，所述柵極在頂層硅膜的上表面呈Y型分布，所述柵極正下方的頂層硅膜中注入金屬離子形成有一金屬層，所述柵極一側的源區摻雜形成有源區超淺結，所述柵極另一側的漏區摻雜形成有漏區超淺結，所述柵極的周圍形成有柵極側墻，所述源區超淺結下方離子注入形成有源區暈環區，所述漏區超淺結下方離子注入形成有漏區暈環區，所述源區超淺結的表面形成有源極硅化物，所述柵極的表面形成有柵極硅化物，所述漏區超淺結的表面形成有漏極硅化物，所述源極硅化物的表面形成有源電極，所述漏極硅化物的表面形成有漏電極。

2.根據權利要求1所述的抑制浮體效應的新型SOI器件，其特征在于，所述頂層硅膜的厚度為100～200nm。

3.根據權利要求1所述的抑制浮體效應的新型SOI器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為1～20nm，所述金屬層距離頂層硅膜的上表面為50～200nm。

4.根據權利要求1所述的抑制浮體效應的新型SOI器件，其特征在于，所述金屬層中的金屬為Au、Cu、Fe、Mn和In中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的抑制浮體效應的新型SOI器件，其特征在于，所述源極硅化物、柵極硅化物和漏極硅化物為鈦化硅、鈷化硅和鎳化硅中的任意一種。