[實用新型]一種抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821728293.5 | 申請日： | 2018-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN208422920U | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃瑞;周廣正;代京京 | 申請（專利權(quán)）人： | 中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 重慶信航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50218 | 代理人： | 穆祥維 |
| 地址： | 401573 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 頂層硅膜 源漏區(qū) 浮體效應(yīng) 金屬離子 金屬層 本實用新型 硅化物表面 淺槽隔離層 柵極氧化物 表面形成 底部硅層 離子形成 依次層疊 源漏電極 柵極側(cè)墻 柵極接觸 超淺結(jié) 硅化物 上表面 源漏極 柵電極 襯底 環(huán)區(qū) 漏區(qū) 埋層 源柵 離子 摻雜 芯片 占用 申請 | ||
1.一種抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件，其特征在于，包括SOI襯底，所述SOI襯底包括從下往上依次層疊的底部硅層、中間BOX埋層和頂層硅膜，所述頂層硅膜的兩側(cè)形成有淺槽隔離層，所述頂層硅膜中注入有P離子形成P型硅，所述頂層硅膜的上表面依次設(shè)有柵極氧化物和柵電極，所述柵極氧化物和柵電極組成柵極，所述柵極在頂層硅膜的上表面呈Y型分布，所述柵極正下方的頂層硅膜中注入金屬離子形成有一金屬層，所述柵極一側(cè)的源區(qū)摻雜形成有源區(qū)超淺結(jié)，所述柵極另一側(cè)的漏區(qū)摻雜形成有漏區(qū)超淺結(jié)，所述柵極的周圍形成有柵極側(cè)墻，所述源區(qū)超淺結(jié)下方離子注入形成有源區(qū)暈環(huán)區(qū)，所述漏區(qū)超淺結(jié)下方離子注入形成有漏區(qū)暈環(huán)區(qū)，所述源區(qū)超淺結(jié)的表面形成有源極硅化物，所述柵極的表面形成有柵極硅化物，所述漏區(qū)超淺結(jié)的表面形成有漏極硅化物，所述源極硅化物的表面形成有源電極，所述漏極硅化物的表面形成有漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件，其特征在于，所述頂層硅膜的厚度為100～200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為1～20nm，所述金屬層距離頂層硅膜的上表面為50～200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件，其特征在于，所述金屬層中的金屬為Au、Cu、Fe、Mn和In中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制浮體效應(yīng)的新型SOI器件，其特征在于，所述源極硅化物、柵極硅化物和漏極硅化物為鈦化硅、鈷化硅和鎳化硅中的任意一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
