[實用新型]半導體處理腔室

有效

• 申請號: 201821726698.5
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN209447761U
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: S·樸;T·Q·特蘭;N·卡爾寧;D·盧博米爾斯基;A·德瓦拉孔達
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊學春;侯穎媖

1.一種半導體處理腔室，其特征在于，所述半導體處理腔室包含：

噴淋頭；

基板支撐件；

電源，與所述基板支撐件電氣耦合并且經構造以向所述基板支撐件提供電力來在所述噴淋頭與所述基板支撐件之間限定的處理區域內產生偏壓等離子體；以及

等離子體屏蔽件，與所述基板支撐件耦合并且經構造以實質上消除穿過所述等離子體屏蔽件的等離子體泄漏，其中所述等離子體屏蔽件與電氣接地耦合。

2.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件包含從所述基板支撐件向外徑向延伸的環形部件。

3.如權利要求2所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件由繞所述等離子體屏蔽件的內部半徑的第一厚度表征，并且其中所述等離子體屏蔽件由繞所述等離子體屏蔽件的外部半徑的小于所述第一厚度的第二厚度表征。

4.如權利要求3所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件限定穿過所述等離子體屏蔽件的多個孔。

5.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述多個孔在所述等離子體屏蔽件的由所述第二厚度表征的區域內限定。

6.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述多個孔的每個孔由包括錐形部的輪廓表征，所述錐形部至少部分地穿過所述等離子體屏蔽件延伸。

7.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件限定穿過所述等離子體屏蔽件的至少約500個孔。

8.如權利要求4所述的半導體處理腔室，其中所述多個孔的每個孔由小于或約0.25英寸的直徑表征。

9.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中在所述等離子體屏蔽件的徑向邊緣與所述半導體處理腔室的側壁之間維持間隙。

10.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件被維持與所述基板支撐件的靜電夾盤部分電氣隔離，所述靜電夾盤部分與所述電源電氣耦合。

11.一種半導體處理腔室，其特征在于，所述半導體處理腔室包含：

腔室側壁；

噴淋頭；

基板支撐件，其中所述基板支撐件與所述噴淋頭和所述腔室側壁一起限定所述半導體處理腔室的處理區域，其中所述基板支撐件包含導電圓盤，其中所述基板支撐件能從所述處理區域內的第一豎直位置移動到所述處理區域內鄰近所述噴淋頭的第二豎直位置；

電源，與所述導電圓盤電氣耦合，所述電源適于向所述導電圓盤提供能量以在所述處理區域內形成偏壓等離子體；以及

等離子體屏蔽件，沿著所述基板支撐件的圓周與所述基板支撐件耦合，其中所述等離子體屏蔽件朝向所述腔室側壁向外徑向延伸，并且其中所述等離子體屏蔽件維持在電氣接地處。

12.如權利要求11所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件由內部半徑和外部半徑表征，并且其中所述等離子體屏蔽件由在所述等離子體屏蔽件的內部區域與外部區域之間的邊界處限定的內半徑表征。

13.如權利要求12所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件限定在所述等離子體屏蔽件的所述外部區域內并且繞所述等離子體屏蔽件延伸的多個孔。

14.如權利要求12所述的半導體處理腔室，其中所述等離子體屏蔽件在所述基板支撐件的外邊緣處沿著所述等離子體屏蔽件的所述內部區域耦合。

15.如權利要求14所述的半導體處理腔室，其中所述基板支撐件包含外接所述基板支撐件的邊緣環，其中所述邊緣環放置在所述等離子體屏蔽件的所述內部區域上。

16.如權利要求15所述的半導體處理腔室，其中所述邊緣環為石英。