[實用新型]基片處理裝置

有效

• 申請號: 201821724128.2
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN209000877U
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 田中幸二;池田貴志;益富裕之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

基片處理槽；

處理液供給噴嘴，其設置在所述基片處理槽內的下方，從多個排出口排出處理液；和

調壓板，其設置在所述處理液供給噴嘴與所述基片處理槽內的基片之間，具有使所述處理液流通的多個孔，調節從所述處理液供給噴嘴排出的所述處理液的流入壓力，

所述調壓板具有從所述處理液供給噴嘴側的面突出的將所述處理液供給噴嘴側的面劃分為多個劃分區域的棱。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述調壓板具有形成為格子狀的所述棱。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個劃分區域中，一部分劃分區域的面積與其他劃分區域的面積不同。

4.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個劃分區域的面積各自不同。

5.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述多個劃分區域中，所述基片處理槽的側壁側的劃分區域的面積小于其他劃分區域的面積。

6.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述調壓板中，在所述處理液供給噴嘴側的孔的端部設有倒角部。

7.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

包括整流板，其設置在所述調壓板與所述基片之間，具有縫隙，對去往所述基片的所述處理液的液流進行整流。

8.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

包括氣泡產生部，其在向所述處理液供給噴嘴供給所述處理液的處理液供給路徑中產生氣泡。

9.如權利要求8所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述氣泡產生部包括調節所述氣泡的直徑的調節部。

10.如權利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述調節部改變流路面積。