[實用新型]一種具有緩沖減速功能的庭院門

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821721635.0
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN209538982U
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃石祥
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市金庭門業(yè)有限公司
• 主分類號: E05F5/06
• 分類號: E05F5/06;E06B11/02;E06B3/36
• 代理公司: 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427
• 代理人: 何志鏗

本實用新型提供一種具有緩沖減速功能的庭院門，包括門扇、門立柱、第一磁體、第二磁體、霍爾傳感器、圓弧形軌道、MCU控制單元，門扇通過門軸與門立柱鉸接，第一磁體設(shè)置在門扇遠(yuǎn)離門立柱一端的底部，圓弧形軌道位于門扇轉(zhuǎn)動時第一磁體轉(zhuǎn)動軌跡的下方，圓弧形軌道上排列設(shè)置有若干第二磁體，若干第二磁體分別相鄰設(shè)置有霍爾傳感器，第一磁體與第二磁體相對面的磁極相異，第二磁體為電磁鐵，霍爾傳感器被第一磁體觸發(fā)時，MCU控制單元控制該霍爾傳感器相鄰的第二磁體開啟。通過增大第一磁體和第二磁體相互間的吸力增大庭院門轉(zhuǎn)動過程中受到的阻力，實現(xiàn)庭院門的緩沖減速。本實用新型提供的具有緩沖減速功能的庭院門，具有成本低、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及庭院門技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有緩沖減速功能的庭院門。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的平開式庭院門通常配置有門吸，目的是防止庭院門被大風(fēng)吹動后，門體在風(fēng)的推力和門體自身的慣性作用下快速關(guān)閉，從而導(dǎo)致門框或門體本身損壞，甚至造成人身傷害，但在手動關(guān)閉或者電動關(guān)閉庭院門的速度過快時，門吸無法起到保護作用。

發(fā)明內(nèi)容

基于現(xiàn)有技術(shù)存在上述問題，本實用新型提供一種具有緩沖減速功能的庭院門，包括門扇、門立柱、第一磁體、第二磁體、霍爾傳感器、圓弧形軌道、MCU控制單元，所述門扇通過門軸與門立柱鉸接，所述第一磁體設(shè)置在門扇遠(yuǎn)離門立柱一端的底部，所述圓弧形軌道位于門扇轉(zhuǎn)動時第一磁體轉(zhuǎn)動軌跡的下方，所述圓弧形軌道埋設(shè)在地面下，所述圓弧形軌道上排列設(shè)置有若干第二磁體，所述若干第二磁體分別相鄰設(shè)置有霍爾傳感器，所述霍爾傳感器位于門扇轉(zhuǎn)動時第一磁體轉(zhuǎn)動軌跡的下方，所述第一磁體與第二磁體相對面的磁極相異，所述第二磁體為電磁鐵，所述MCU控制單元分別與若干第二磁體及若干霍爾傳感器電性連接，所述霍爾傳感器被第一磁體觸發(fā)時，所述MCU控制單元控制該霍爾傳感器相鄰的第二磁體開啟，越靠近庭院門關(guān)閉位置的第二磁體的磁性越強。通過增大第一磁體和第二磁體相互間的吸力增大庭院門轉(zhuǎn)動過程中受到的阻力，實現(xiàn)庭院門的緩沖減速。本實用新型提供的具有緩沖減速功能的庭院門，具有成本低、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點。

本實用新型通過以下詳細(xì)技術(shù)方案達到目的：

一種具有緩沖減速功能的庭院門，包括門扇、門立柱、第一磁體、第二磁體、霍爾傳感器、圓弧形軌道、MCU控制單元，所述門扇通過門軸與門立柱鉸接，所述第一磁體設(shè)置在門扇遠(yuǎn)離門立柱一端的底部，所述圓弧形軌道位于門扇轉(zhuǎn)動時第一磁體轉(zhuǎn)動軌跡的下方，所述圓弧形軌道埋設(shè)在地面下，所述圓弧形軌道上排列設(shè)置有若干第二磁體，所述若干第二磁體分別相鄰設(shè)置有霍爾傳感器，所述霍爾傳感器位于門扇轉(zhuǎn)動時第一磁體轉(zhuǎn)動軌跡的下方，所述第一磁體與第二磁體相對面的磁極相異，所述第二磁體為電磁鐵，所述MCU控制單元分別與若干第二磁體及若干霍爾傳感器電性連接，所述霍爾傳感器未被第一磁體觸發(fā)時，所述MCU控制單元控制該霍爾傳感器相鄰的第二磁體關(guān)閉，所述霍爾傳感器被第一磁體觸發(fā)時，所述MCU控制單元控制該霍爾傳感器相鄰的第二磁體開啟，通過逐漸增加第二磁體中線圈匝數(shù)，使得越靠近庭院門關(guān)閉位置的第二磁體的磁性越強，所述門扇在關(guān)閉過程中底部的第一磁體在圓弧形軌道上方滑動，因第一磁體與第二磁體相互間的吸力逐漸增強，增加了門扇轉(zhuǎn)動過程受到的阻力，實現(xiàn)緩沖減速，當(dāng)距離庭院門關(guān)閉位置最近的霍爾傳感器被觸發(fā)后，經(jīng)過一定的時延，MCU控制單元控制該霍爾傳感器相鄰的第二磁體關(guān)閉。

作為優(yōu)選，所述第一磁體為永磁鐵。

作為優(yōu)選，所述第一磁體為電磁鐵，所述MCU控制單元與第一磁體電性連接，當(dāng)距離庭院門關(guān)閉位置最遠(yuǎn)的霍爾傳感器被觸發(fā)時，MCU控制單元控制第一磁體開啟，當(dāng)距離庭院門關(guān)閉位置最近的霍爾傳感器被觸發(fā)后，經(jīng)過一定的時延，MCU控制單元分別控制第一磁體和該霍爾傳感器相鄰的第二磁體關(guān)閉。