[實(shí)用新型]射頻開(kāi)關(guān)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821717815.1
• 申請(qǐng)日: 2018-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209330084U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李合理;朱金雄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京信通信系統(tǒng)（中國(guó)）有限公司;京信通信系統(tǒng)（廣州）有限公司;京信通信技術(shù)（廣州）有限公司;天津京信通信系統(tǒng)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/687
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/687;H04B1/48
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 陳金普

本申請(qǐng)涉及一種射頻開(kāi)關(guān)電路。射頻開(kāi)關(guān)電路，包括連接在驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)MOS管之間的調(diào)節(jié)電路；驅(qū)動(dòng)電路包括射頻開(kāi)關(guān)器件；調(diào)節(jié)電路包括MOS管K1和電阻R1；MOS管K1的漏極連接電阻R1的一端，源極連接射頻開(kāi)關(guān)器件的接收端，柵極分別連接開(kāi)關(guān)MOS管的漏極、電阻R1的另一端。本申請(qǐng)通過(guò)將調(diào)節(jié)電路中MOS管K1的漏極連接關(guān)鍵電阻的一端，源極連接射頻開(kāi)關(guān)器件的接收端，柵極分別連接開(kāi)關(guān)MOS管的漏極、關(guān)鍵電阻的另一端，使得在時(shí)分雙工開(kāi)關(guān)模式下，可以切換關(guān)鍵電阻，一方面既能夠選用阻值較大的關(guān)鍵電阻以降低電阻的功耗；另一方面又能為射頻開(kāi)關(guān)器件的接收端提供較大的電壓，進(jìn)而提高射頻開(kāi)關(guān)電路的隔離度以及穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻開(kāi)關(guān)電路。

背景技術(shù)

無(wú)線通信系統(tǒng)中，第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的TD-SCDMA(Time Division-SynchronousCode Division Multiple Access，時(shí)分同步碼分多址)以及第四代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的TD-LTE(Time Division Long Term Evolution，分時(shí)長(zhǎng)期演進(jìn))都是時(shí)分雙工模式的，即上下行鏈路是在同一頻率信道的不同時(shí)隙，用保證時(shí)間來(lái)分離。在上述通信系統(tǒng)中，為了提高上下行鏈路的隔離度，一般利用同步控制信號(hào)控制相應(yīng)鏈路器件的導(dǎo)通，通過(guò)切換射頻開(kāi)關(guān)進(jìn)而提高上下行鏈路的隔離度。

在實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：目前的射頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)存在缺陷，導(dǎo)致了隔離度低和穩(wěn)定性差的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種隔離度高，穩(wěn)定性好的射頻開(kāi)關(guān)電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種射頻開(kāi)關(guān)電路，包括連接在驅(qū)動(dòng)電路和開(kāi)關(guān)MOS管之間的調(diào)節(jié)電路；驅(qū)動(dòng)電路包括射頻開(kāi)關(guān)器件；

調(diào)節(jié)電路包括MOS管K1和電阻R1；

MOS管K1的漏極連接電阻R1的一端，源極連接射頻開(kāi)關(guān)器件的接收端，柵極分別連接開(kāi)關(guān)MOS管的漏極、電阻R1的另一端。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括二極管和電阻R2；

MOS管K1的柵極分別連接二極管的正極、電阻R2的一端；MOS管K1的源極分別連接二極管的負(fù)極、電阻R2的另一端；

MOS管K1的柵極還連接開(kāi)關(guān)MOS管的漏極。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括一端連接MOS管K1的漏極、另一端連接相應(yīng)供電模塊的電感L1；

電感L1的一端連接電阻R1的一端。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括一端連接MOS管K1的漏極、另一端接地的電容C1；

電容C1的一端連接電阻R1的一端。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括一端連接開(kāi)關(guān)MOS管的柵極的電阻R3；電阻R3的另一端用于連接相應(yīng)的外部信號(hào)輸入端。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8以及MOS管K2；

電阻R4的一端連接射頻開(kāi)關(guān)器件的天線端，另一端用于連接相應(yīng)的供電模塊；

電阻R5的一端連接射頻開(kāi)關(guān)器件的偏置端，另一端連接MOS管K2的漏極；

電阻R6的一端連接MOS管K2的柵極，另一端用于連接外部信號(hào)輸入端；

電阻R7的一端、電阻R8的一端連接MOS管K2的漏極；電阻R7的另一端、電阻R8的另一端用于連接相應(yīng)的供電模塊；

MOS管K2的漏極還連接射頻開(kāi)關(guān)器件的發(fā)射端，源極接地。