[實用新型]半導體層

有效

• 申請號: 201821715301.2
• 申請日: 2018-10-23
• 公開（公告）號: CN208954937U
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 林建宏;劉振宇
• 申請（專利權）人: 宸鴻光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L29/04
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體層，其特征在于，該半導體層包含：

一第一結晶部分，由一半熔融態的一第一部分結晶形成；以及

一第二結晶部分，由一熔融態的一第二部分結晶形成，

其中該半熔融態的該第一部分與該熔融態的該第二部分是由一閃光燈透過一第一光罩照射該第一部分與該第二部分而形成，該第一光罩包含一部分透光區域與一透光區域，該部分透光區域對應于該第一部分，該透光區域對應于該第二部分，該第一部分鄰近該第二部分；該第二結晶部分是由該第一部分與該第二部分的一接面開始結晶化該第二部分而形成，該第一結晶部分是該第一部分的晶格重新排列而形成。

2.根據權利要求1所述的半導體層，其特征在于，該第一結晶部分包含一微結晶部分。

3.根據權利要求1所述的半導體層，其特征在于，該第二結晶部分包含一側向結晶部分。

4.根據權利要求1所述的半導體層，其特征在于，還包含：

一非結晶部分，是由該閃光燈透過該第一光罩照射該半導體層而形成，其中該第一光罩還包含一不透光區域，該不透光區域對應于該非結晶部分。

5.根據權利要求1所述的半導體層，其特征在于，該閃光燈透過一第二光罩照射該半導體層以改變該半導體層的一結晶狀況。