[實用新型]一種基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構有效
| 申請號： | 201821713899.1 | 申請日： | 2018-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN209044588U | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 陳繼東;竇永剛;李林侃;安濤 | 申請（專利權）人： | 西安霍威航空科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F13/40 | 分類號： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 西安佩騰特知識產權代理事務所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 張倩 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低速設備 本實用新型 高速存儲 緩沖結構 三級緩存 一級緩存 二級緩存單元 高速PCI總線 高速數據流 兼容性問題 高速通訊 依次連接 輸出端 輸入端 緩沖 響應 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構，其特征在于：包括依次連接的FIFO一級緩存單元、二級緩存單元和FIFO三級緩存單元，所述FIFO一級緩存單元的輸入端接高速PCI總線，所述FIFO三級緩存單元的輸出端接低速設備。
2.根據權利要求1所述的基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構，其特征在于：所述二級緩存單元為帶有自刷新模式的SDRAM存儲器。
3.根據權利要求2所述的基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構，其特征在于：所述SDRAM存儲器選用鎂光半導體的MT48LC128M4A2存儲體，該存儲體容量為128Mb。
4.根據權利要求1-3之任一所述的基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構，其特征在于：FIFO一級緩存單元的寫入位寬與PCI總線位寬一樣，FIFO一級緩存單元的讀出位寬與SDRAM存儲器的數據位寬一樣。
5.根據權利要求4所述的基于PCI總線接口的高速存儲緩沖結構，其特征在于：所述FIFO三級緩存單元的寫入位寬和SDRAM存儲器數據位寬一樣，FIFO三級緩存單元的讀出位寬和外部設備一樣。
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