[實用新型]一種高轉換效率的太陽能電池

有效

• 申請號: 201821713610.6
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN208985992U
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 郭建廷;李方紅;常嘉興
• 申請（專利權）人: 深圳市科創數字顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/032;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明;洪銘福

1.一種高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，包括由上至下依次層疊設置的抗反射層、鈣鈦礦材料層、TiO₂層、III-V族太陽能電池和DBR層。

2.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述抗反射層為仿生蛾眼結構。

3.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述抗反射層的材料為氮化硅、二氧化硅中的一種。

4.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述III-V族太陽能電池為多結太陽能電池。

5.根據權利要求4所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池為三結太陽能電池，所述三結太陽能電池包括三個子電池，三個所述子電池的能隙由上至下依次遞減。

6.根據權利要求5所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述三結太陽能電池的結構由上至下具體為依次層疊設置的InGaP層、通道層一、GaAs層、通道層二、GaInNAs層、通道層三和GaAs襯底。

7.根據權利要求4所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池的結構由上至下具體為依次層疊設置的AlIn窗口層、InGaP發射層、InGaP基區層、AlGaInP背表面電場層、第一隧道結、InGaP窗口層、InGaAs發射層、InGaAs基區層、AlGaP背表面電場層、第二隧道結、InGaAs緩沖層、InGaP異質層、Ge基區層和Ge背表面電場層。

8.根據權利要求4所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池的結構由上至下具體為依次層疊設置的p-AlGaAs窗口層、p-GaAs發射層、n-GaAs基區層；所述DBR層的下方還設置有n-GaAs襯底。

9.根據權利要求4所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池的結構由上至下具體為依次層疊設置的覆蓋層、窗口層、InGaAs n型發射層、InGaAs p型基區層、背表面電場層、隧道結、緩沖層、Ge n型擴散層、Ge p型襯底。

10.根據權利要求4所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述多結太陽能電池的結構由上至下具體為依次層疊設置的n-AlInP窗口層、n-InGaP發射層、p-InGaP基區層、p-AlInP背表面電場層、p-AlGaAs/n-InGap隧道結、n-InGaP窗口層、n-InGaAs發射層、p-InGaAs基區層、p-InGaP背表面電場層、p-GaAs/n-GaAs隧道結、n-InGaAs緩沖層、InGaP層、n-Ge層、p-Ge層。

11.根據權利要求1-10任一項所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述抗反射層上方還設置有聚光鏡模組。

12.根據權利要求11所述的高轉換效率的太陽能電池，其特征在于，所述聚光鏡模組為菲涅爾透鏡。