[實用新型]一種低損耗電容器及集成芯片

有效

• 申請號: 201821713056.1
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN208753312U
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 賀勇;喻振寧;韓玉成
• 申請（專利權）人: 中國振華集團云科電子有限公司;貴州振華電子信息產業技術研究有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王獻茹

本實用新型提供了一種低損耗電容器及集成芯片，涉及半導體領域。低損耗電容器，低損耗電容器包括基片、絕緣層、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，基片具有相對而設的第一表面和第二表面，絕緣層位于第一表面，第二金屬層位于第二表面，第一金屬層位于絕緣層遠離基片的一面，第三金屬層環繞絕緣層外，并設置于第一表面上。通過第三金屬層的環繞設置能夠降低電容器的損耗，降低因發熱所消耗的能量。

技術領域

本實用新型涉及半導體領域，具體而言，涉及一種低損耗電容器及集成芯片。

背景技術

損耗是無線通信及射頻電路設計中的一個重要指標，在功率放大電路中，低損耗意味著較高的功放效率和較好的熱量管理；在天線應用中，低電路損耗能夠降低天線饋線的能量損耗，同時也可提高輻射單元的效率和天線的信號覆蓋范圍。隨著電子技術的發展，電容器等無源元件的損耗在電路功率損耗中所占比例越來越大，為了降低電容器對電路功率損耗的影響，通常會采用較低損耗的電容器。目前市面上常見的電容器均是以低損耗材料為基礎，采用成熟半導體工藝制備。但是電容器的材料確定后，其損耗也基本確定，無法對損耗作出進一步的降低。

實用新型內容

本實用新型的目的之一在于提供一種低損耗電容器，其能夠降低電容器的損耗，降低因發熱所消耗的能量。

本實用新型的另一目的在于提供一種集成芯片，其能夠降低電容器的損耗，降低因發熱所消耗的能量。

為了實現上述目的，本實用新型提供一種技術方案：

本實用新型實施例提供了一種低損耗電容器，所述低損耗電容器包括基片、絕緣層、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，所述基片具有相對而設的第一表面和第二表面，所述絕緣層位于所述第一表面，所述第二金屬層位于所述第二表面，所述第一金屬層位于所述絕緣層遠離所述基片的一面，所述第三金屬層環繞所述絕緣層外，并設置于所述第一表面上。

進一步地，所述第三金屬層為全封閉環或帶缺口環。

進一步地，所述第三金屬層采用光刻工藝制成。

進一步地，所述第三金屬層在與所述第一表面平行方向的環狀寬度為2至15微米。

進一步地，所述第三金屬層在沿垂直所述第一表面方向的高度不小于所述絕緣層的高度。

進一步地，所述第三金屬層所圍面積不大于所述第一表面的面積。

進一步地，所述第二金屬層與所述絕緣層的接觸處的面積小于該接觸處的所述絕緣層的面積。

進一步地，所述基片的所述第一表面和所述第二表面中至少一個表面為拋光面。

進一步地，所述基片的電阻率至少為0.001歐姆·厘米。

本實用新型實施例還提供了一種集成芯片，包括集成芯片本體及低損耗電容器。所述低損耗電容器包括基片、絕緣層、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，所述基片具有相對而設的第一表面和第二表面，所述絕緣層位于所述第一表面，所述第二金屬層位于所述第二表面，所述第一金屬層位于所述絕緣層遠離所述基片的一面，所述第三金屬層環繞所述絕緣層外，并設置于所述第一表面上。所述低損耗電容器與所述集成芯片本體電連接。

相對于現有技術，本實用新型提供的低損耗電容器及集成芯片的有益效果是：

本實用新型提供的一種低損耗電容器及集成芯片，基片具有相對而設的第一表面和第二表面，絕緣層位于第一表面，第二金屬層位于第二表面，第一金屬層位于絕緣層遠離基片的一面，第三金屬層環繞絕緣層外，并設置于第一表面上，通過第三金屬層的環繞設置能夠降低電容器的損耗，降低因發熱所消耗的能量。

附圖說明