[實用新型]波長轉換模塊以及投影裝置有效
| 申請號： | 201821706540.1 | 申請日： | 2018-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN209103006U | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 徐碧聰;謝啟堂 | 申請（專利權）人： | 中強光電股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B26/00 | 分類號： | G02B26/00;G03B21/20 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪貴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板 波長轉換模塊 漫反射 波長轉換材料 粒子 粗糙表面 第二區域 第一區域 波長轉換層 結合材料 投影裝置 密集度 導熱效率 反射率 可靠度 散布 | ||
1.一種波長轉換模塊，其特征在于，包括基板以及波長轉換層，其中：
所述基板具有粗糙表面，且所述粗糙表面包括兩個第一區域以及第二區域，其中所述第二區域在自所述基板的徑向方向上位于所述兩個第一區域之間；以及
所述波長轉換層位于所述基板上，且包括波長轉換材料、結合材料以及多個漫反射粒子，其中：
所述波長轉換材料散布于所述結合材料中；以及
所述多個漫反射粒子位于所述基板的所述粗糙表面上，且所述多個漫反射粒子位于所述波長轉換材料與所述基板之間，其中所述第二區域范圍內的所述多個漫反射粒子的密集度大于各所述第一區域范圍內的所述多個漫反射粒子的密集度。
2.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述多個漫反射粒子的密集度是指所述多個漫反射粒子的體積百分比濃度，且所述第二區域范圍內的所述多個漫反射粒子的體積百分比濃度介于60％至100％之間。
3.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述第二區域的表面粗糙度(Ra)大于所述兩個第一區域的表面粗糙度。
4.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述第二區域的表面粗糙度(Ra)小于或等于所述兩個第一區域的表面粗糙度。
5.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述粗糙表面的所述第二區域的表面粗糙度(Ra)的范圍介于10微米至100微米之間。
6.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，位于所述第二區域范圍內的各所述漫反射粒子之間的粒子間隙小于位于所述兩個第一區域范圍內的各所述漫反射粒子之間的粒子間隙。
7.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述基板的所述粗糙表面包括多個凹凸結構。
8.根據權利要求7所述的波長轉換模塊，其特征在于，分布于所述兩個第一區域范圍內的所述的凹凸結構具有第一平均深度，且分布于所述第二區域范圍內的所述的凹凸結構具有第二平均深度，其中所述第二平均深度大于或等于所述第一平均深度。
9.根據權利要求1所述的波長轉換模塊，其特征在于，還包括：
氧化物陶瓷層，位于所述基板的所述粗糙表面上。
10.根據權利要求9所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述氧化物陶瓷層與所述多個漫反射粒子共同形成反射層，且所述反射層包括：
兩個第一反射區域，分別位于所述兩個第一區域上；以及
第二反射區域，位于所述第二區域上，其中各所述第一反射區域的厚度小于所述第二反射區域的厚度。
11.根據權利要求10所述的波長轉換模塊，其特征在于，各所述第一反射區域的厚度小于0.05毫米，且所述第二反射區域的厚度介于0.02毫米至0.15毫米之間。
12.根據權利要求9所述的波長轉換模塊，其特征在于，所述氧化物陶瓷層的材質包括氧化鋁或氧化鈦。
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