[實用新型]一種熔斷器

有效

• 申請號: 201821699365.8
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN208738169U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 陳錫慶;李向明;單小兵;楊永林
• 申請（專利權）人: AEM科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: H01H85/43
• 分類號: H01H85/43;H01H85/08;H01H85/06;H01H69/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;馮尚杰

1.一種熔斷器，包括絕緣層及熔斷體，所述絕緣層包括上絕緣層及下絕緣層，所述熔斷體設置在所述上絕緣層與所述下絕緣層之間，所述絕緣層上設有與所述熔斷體相電連接的端電極，其特征在于：所述熔斷器還包括設置在所述熔斷體與所述絕緣層之間的功能層，所述功能層包括基材及均勻或大致均勻地分布在所述基材中的滅弧材料，所述滅弧材料含有密閉空穴，所述基材包括低溫共燒陶瓷粉、氣霧氧化硅、氧化硅、惰性樹脂、磷酸及磷酸酯聚酯。

2.根據權利要求1所述的熔斷器，其特征在于，所述絕緣層還包括隔層，所述熔斷器包括多個所述熔斷體及多個所述功能層，每個所述熔斷體的上方和/或下方設有所述功能層，所述隔層設置在相鄰的兩個所述熔斷體之間。

3.根據權利要求1所述的熔斷器，其特征在于，所述滅弧材料為中空玻璃微球、含有多個所述密閉空穴的玻璃體或含有多個所述密閉空穴的陶瓷的任意一種。

4.根據權利要求1所述的熔斷器，其特征在于，所述滅弧材料的球徑D50為10~80微米。

5.根據權利要求1-4任一所述的熔斷器，其特征在于，所述功能層位于所述熔斷體的上方和/或下方，所述功能層與所述熔斷體接觸。

6.根據權利要求1-4任一所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷器包括三層依次疊置的熔斷體，每層所述熔斷體的上方和/或下方設置有所述功能層。

7.根據權利要求1-4任一所述的熔斷器，其特征在于，所述熔斷器包括五層依次疊置的熔斷體，每層所述熔斷體的上方和/或下方設置有所述功能層。

8.根據權利要求1-4任一所述的熔斷器，其特征在于，單個所述功能層包括多個彼此分離的次級功能層，所述次級功能層位于同一平面內，每個所述次級功能層與相應的所述熔斷體接觸。

9.根據權利要求8所述的熔斷器，其特征在于，在同一平面內，所述次級功能層的數量為3。