[實用新型]一種快速滅磁裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821691305.1
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN208707304U
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅運松;宋萌;史正軍;胡南南;程文鋒;夏亞君;李力;韋瑋;林友新;陳迅;許其品;余振;鄭堯山;黃志
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司;廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;唐京橋

本實用新型實施例公開了一種快速滅磁裝置，該裝置包括：第一壓敏電阻和多個開關(guān)管模塊和控制器；開關(guān)管模塊包括：開關(guān)管、二極管和第二壓敏電阻，開關(guān)管的第一端、第二端分別與二極管的兩極連接，第二壓敏電阻和二極管并聯(lián)，開關(guān)管的第三端與控制器連接；多個開關(guān)管模塊依次串聯(lián)構(gòu)成開關(guān)模塊，開關(guān)模塊與限流器繞組串聯(lián)后，再與第一壓敏電阻并聯(lián)，第一壓敏電阻的兩端與電源側(cè)的整流橋的輸出端連接。在本實用新型中，當(dāng)需要快速滅磁時，控制器可以同時關(guān)斷所有開關(guān)管，限流器繞組則會感應(yīng)出電壓，該電壓令第一壓敏電阻和第二壓敏電阻導(dǎo)通后，可以使得繞組上的能量在電阻上快速釋放進行快速滅磁。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電網(wǎng)滅磁技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速滅磁裝置。

背景技術(shù)

隨著電網(wǎng)容量的擴大，輸、配電系統(tǒng)的短路電流值不斷提高，為了將短路電流降低到開關(guān)設(shè)備最大開斷電流以下，需要采取一些方法來進行限流。超導(dǎo)故障限流器是一種新型的故障限流裝置，系統(tǒng)正常運行時，它呈現(xiàn)出低阻抗，當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生短路時，通過對超導(dǎo)故障限流器的勵磁線圈滅磁可以瞬間產(chǎn)生出高阻抗以限制系統(tǒng)短路電流上升，由于系統(tǒng)短路電流上升速度極快，為了使短路電流降低到開關(guān)設(shè)備最大開斷電流以下，通常需要在100ms內(nèi)將勵磁電流降低90％以上。

現(xiàn)有技術(shù)對限流器的滅磁方式如圖1所示，滅磁開關(guān)次觸頭K2閉合，滅磁開關(guān)主觸頭K1斷開，滅磁開關(guān)主觸頭K1兩端產(chǎn)生較高的電弧電壓，當(dāng)弧壓高于滅磁電阻R的導(dǎo)通電壓與整流橋輸出電壓之和時，滅磁電阻R導(dǎo)通，線圈能量通過滅磁電阻快速釋放。滅磁速度取決于滅磁電阻R的導(dǎo)通電壓，但是導(dǎo)通電壓過高會使得電弧電壓過高導(dǎo)致滅磁開關(guān)K1的耐壓及絕緣要求大幅提高，而目前現(xiàn)有滅磁開關(guān)無法滿足過高的電壓，導(dǎo)致無法快速滅磁，且由于滅磁開關(guān)的觸頭動作時間較長，使用機械開關(guān)也不能滿足快速滅磁時間。

因此，需要提供一種滅磁裝置以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于滅磁開關(guān)本身結(jié)構(gòu)性能的缺陷所導(dǎo)致的無法快速滅磁的技術(shù)問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型公開了一種快速滅磁裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于滅磁開關(guān)本身結(jié)構(gòu)性能的缺陷所導(dǎo)致的無法快速滅磁的技術(shù)問題。

本實用新型提供了一種快速滅磁裝置，包括：第一壓敏電阻和多個開關(guān)管模塊和控制器；

所述開關(guān)管模塊包括：開關(guān)管、二極管和第二壓敏電阻，所述開關(guān)管的第一端、第二端分別與所述二極管的兩極連接，所述第二壓敏電阻和所述二極管并聯(lián)，所述開關(guān)管的第三端與所述控制器連接；

多個所述開關(guān)管模塊依次串聯(lián)構(gòu)成開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊與限流器繞組串聯(lián)后，再與所述第一壓敏電阻并聯(lián)，所述第一壓敏電阻的兩端與電源側(cè)的整流橋的輸出端連接。

優(yōu)選地，本發(fā)明提供的一種快速滅磁裝置還包括：滅磁開關(guān)；

所述第一壓敏電阻的第一端通過所述滅磁開關(guān)的主觸點與電源側(cè)整流橋的正輸出端連接；

所述滅磁開關(guān)的次觸點與所述第一壓敏電阻并聯(lián)。

優(yōu)選地，所述主觸點為常閉狀態(tài)，所述次觸點為常斷狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述開關(guān)管為IGBT。

優(yōu)選地，所述第一壓敏電阻和所述第二壓敏電阻均為氧化鋅。

從以上技術(shù)方案可以看出，本實用新型實施例具有以下優(yōu)點：