[實用新型]晶圓冷卻裝置有效
| 申請號： | 201821691202.5 | 申請日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN208767266U | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | 邱宇航;周穎;洪紀倫;吳宗祐;林宗賢 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓冷卻裝置 晶圓 高壓氣體管路 晶圓承載盤 毛細管路 出氣口 冷卻腔 進氣口 低壓氣體管路 本實用新型 高壓氣體源 進氣口連接 工藝腔體 冷卻過程 冷卻裝置 立體空間 密封連接 設備成本 外界物質 冷卻液 轉移臂 盤繞 產能 冷媒 種晶 冷卻 污染 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓冷卻裝置，其特征在于，所述晶圓冷卻裝置包括：
晶圓承載盤；
與所述晶圓承載盤密封連接的冷卻腔；
設置于所述冷卻腔內的毛細管路，所述毛細管路具有進氣口及出氣口且在立體空間呈盤繞結構；
與所述進氣口連接的高壓氣體管路；
與所述出氣口連接的排氣氣體管路；
與所述高壓氣體管路連接的高壓氣體源。
2.根據權利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細管路設置為至少兩層。
3.根據權利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻腔內均勻設置有至少兩個所述毛細管路。
4.根據權利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細管路的外部設置有散熱部件。
5.根據權利要求4所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細管路在立體空間呈螺旋盤繞結構。
6.根據權利要求5所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述散熱部件呈片狀設置于所述毛細管路長度方向的相對兩側。
7.根據權利要求4所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細管路在立體空間呈渦旋盤繞結構。
8.根據權利要求7所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述散熱部件呈環狀設置于所述毛細管路的橫截面外圍。
9.根據權利要求8所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細管路的橫截面外圍設置有至少兩個所述散熱部件。
10.根據權利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述高壓氣體源包括氮氣。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德淮半導體有限公司，未經德淮半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821691202.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種傳感器芯片組裝插針機構
- 下一篇：半導體設備
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
