[實用新型]晶圓冷卻裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821691202.5 | 申請日： | 2018-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN208767266U | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邱宇航;周穎;洪紀(jì)倫;吳宗祐;林宗賢 | 申請（專利權(quán)）人： | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓冷卻裝置 晶圓 高壓氣體管路 晶圓承載盤 毛細(xì)管路 出氣口 冷卻腔 進(jìn)氣口 低壓氣體管路 本實用新型 高壓氣體源 進(jìn)氣口連接 工藝腔體 冷卻過程 冷卻裝置 立體空間 密封連接 設(shè)備成本 外界物質(zhì) 冷卻液 轉(zhuǎn)移臂 盤繞 產(chǎn)能 冷媒 種晶 冷卻 污染 | ||
1.一種晶圓冷卻裝置，其特征在于，所述晶圓冷卻裝置包括：
晶圓承載盤；
與所述晶圓承載盤密封連接的冷卻腔；
設(shè)置于所述冷卻腔內(nèi)的毛細(xì)管路，所述毛細(xì)管路具有進(jìn)氣口及出氣口且在立體空間呈盤繞結(jié)構(gòu)；
與所述進(jìn)氣口連接的高壓氣體管路；
與所述出氣口連接的排氣氣體管路；
與所述高壓氣體管路連接的高壓氣體源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細(xì)管路設(shè)置為至少兩層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述冷卻腔內(nèi)均勻設(shè)置有至少兩個所述毛細(xì)管路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細(xì)管路的外部設(shè)置有散熱部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細(xì)管路在立體空間呈螺旋盤繞結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述散熱部件呈片狀設(shè)置于所述毛細(xì)管路長度方向的相對兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細(xì)管路在立體空間呈渦旋盤繞結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述散熱部件呈環(huán)狀設(shè)置于所述毛細(xì)管路的橫截面外圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述毛細(xì)管路的橫截面外圍設(shè)置有至少兩個所述散熱部件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓冷卻裝置，其特征在于：所述高壓氣體源包括氮氣。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
