[實(shí)用新型]一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821685141.1 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN209299659U | 公開(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚艷芳 | 申請(專利權(quán))人: | 吳江友鑫新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁屏蔽膜 透明金屬 內(nèi)陷式 網(wǎng)格 基材 本實(shí)用新型 高透光 樹脂層 屏蔽 導(dǎo)電納米材料 金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu) 生產(chǎn)制造工藝 環(huán)境友好型 凹版印刷 導(dǎo)磁材料 高耐候性 金屬結(jié)構(gòu) 金屬線條 模擬電路 屏蔽效果 視覺效果 透明結(jié)構(gòu) 網(wǎng)格設(shè)計(jì) 微納加工 透過型 導(dǎo)磁 吸收 線寬 制作 嵌入 | ||
本實(shí)用新型公開了一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜,包括基材,基材的上側(cè)設(shè)有高透光樹脂層,在高透光樹脂層內(nèi)部嵌入有多個(gè)納米導(dǎo)磁材料顆粒,本實(shí)用新型一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜,采用微納加工的方式制作透明結(jié)構(gòu)基材,并使用凹版印刷的原理在結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu),使其具有高透過型,金屬結(jié)構(gòu)具有高耐候性;采用環(huán)境友好型生產(chǎn)制造工藝,且制作的金屬線條線寬最細(xì)可達(dá)到1um,具有很好的視覺效果;采用導(dǎo)磁與導(dǎo)電納米材料相結(jié)合的組成方式使可有效提高屏蔽效果,拓寬屏蔽范圍;采用多種網(wǎng)格設(shè)計(jì)與模擬電路吸收陣列相結(jié)合,使其具有高效的屏蔽及吸收效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電磁屏蔽膜技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜。
背景技術(shù)
常規(guī)的電磁屏蔽視窗,多采用銅刻蝕、感光銀等方式將金屬網(wǎng)格集成于透明基底材料表面,采用內(nèi)夾金屬絲網(wǎng)的屏蔽玻璃,產(chǎn)品的透光度低、屏蔽波段窄,難以滿足從低頻10KHz到高頻18GHz寬屏段電磁屏蔽性能的要求,屏蔽性能不完善,綜合性能不佳。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜,包括基材,所述基材的上側(cè)設(shè)有高透光樹脂層,在高透光樹脂層內(nèi)部嵌入有多個(gè)納米導(dǎo)磁材料顆粒,在高透光樹脂層上均勻排布有多個(gè)凹槽,每個(gè)凹槽內(nèi)部由下至上均勻分布有納米金屬導(dǎo)電材料層、納米金屬導(dǎo)磁材料層和黑化納米材料層。
進(jìn)一步的,所述基材1的材質(zhì)為PET、PC、PEN、PP和PS中的一種。
進(jìn)一步的,所述高透光樹脂層中的高透光樹脂的材質(zhì)為PETG和TPU中的一種。
進(jìn)一步的,所述納米金屬導(dǎo)電材料層為納米銅導(dǎo)電油墨層。
進(jìn)一步的,所述納米金屬導(dǎo)磁材料層為納米導(dǎo)磁油墨層。
進(jìn)一步的,所述黑化納米材料層為黑化油墨層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:
1、采用微納加工的方式制作透明結(jié)構(gòu)基材,并使用凹版印刷的原理在結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu),使其具有高透過型,金屬結(jié)構(gòu)具有高耐候性。
2、采用環(huán)境友好型生產(chǎn)制造工藝,且制作的金屬線條線寬最細(xì)可達(dá)到1um,具有很好的視覺效果。
3、采用導(dǎo)磁與導(dǎo)電納米材料相結(jié)合的組成方式使可有效提高屏蔽效果,拓寬屏蔽范圍。
4、采用多種網(wǎng)格設(shè)計(jì)與模擬電路吸收陣列相結(jié)合,使其具有高效的屏蔽及吸收效果。
附圖說明
圖1為一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
1-基材1、2-高透光樹脂層、3-納米導(dǎo)磁材料顆粒、4-納米金屬導(dǎo)電材料層、5-納米金屬導(dǎo)磁材料層、6-黑化納米材料層。
具體實(shí)施方式
為了加深對本實(shí)用新型的理解,下面將結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述,以下實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。
請參閱圖1,一種內(nèi)陷式透明金屬網(wǎng)格電磁屏蔽膜,包括基材1,所述基材1的上側(cè)設(shè)有高透光樹脂層2,在高透光樹脂層2內(nèi)部嵌入有多個(gè)納米導(dǎo)磁材料顆粒3,在高透光樹脂層2上均勻排布有多個(gè)凹槽,每個(gè)凹槽內(nèi)部由下至上均勻分布有納米金屬導(dǎo)電材料層4、納米金屬導(dǎo)磁材料層5和黑化納米材料層6。
所述基材1的材質(zhì)為PET、PC、PEN、PP和PS中的一種。
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