[實用新型]硅基太陽能電池及光伏組件

有效

• 申請號: 201821681716.2
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN209232797U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 陳孝業;蔣秀林
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司;晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/042
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種硅基太陽能電池，所述硅基太陽能電池包括：

P型晶體硅基體，

設置在所述P型晶體硅基體正面的發射極層，

設置在所述發射極層上的正面隧穿鈍化層，

設置在所述正面隧穿鈍化層局部區域上的第V族元素摻雜的正面摻雜硅層，

設置在所述正面摻雜硅層以及所述正面隧穿鈍化層未設置所述正面摻雜硅層的區域上的減反射層，以及，

設置在所述減反射層上的正面電極；

其中，所述正面電極穿過所述減反射層與所述正面摻雜硅層歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述正面摻雜硅層與所述正面電極的圖案對應。

3.根據權利要求1所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述正面隧穿鈍化層選自氧化硅層、氮氧化硅層、以及氫化非晶氧化硅層中的至少一種。

4.根據權利要求1～3任一項所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述硅基太陽能電池還包括：設置在所述P型晶體硅基體背面的氧化鋁層，設置在所述氧化鋁層上的覆蓋層，以及設置在所述覆蓋層上的背面電極；其中，所述背面電極穿過所述覆蓋層和所述氧化鋁層與所述P型晶體硅基體歐姆接觸。

5.根據權利要求4所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述背面電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極呈線形，所述第二電極設置在所述覆蓋層上位于所述第一電極以外的區域，且所述第二電極與所述第一電極接觸；

所述氧化鋁等和所述覆蓋層均設置有過孔，所述第二電極通過所述過孔與所述P型晶體硅基體接觸。

6.根據權利要求1～3任一項所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述硅基太陽能電池還包括：設置在所述P型晶體硅基體背面的背面隧穿鈍化層，設置在所述背面隧穿鈍化層局部區域上的第III族元素摻雜的背面摻雜硅層，設置在所述背面摻雜硅層以及所述背面隧穿鈍化層未設置所述背面摻雜硅層的區域上的氧化鋁層，設置在所述氧化鋁層上的覆蓋層，以及設置在所述覆蓋層上的背面電極；其中，所述背面電極穿過所述覆蓋層和所述氧化鋁層與所述背面摻雜硅層歐姆接觸。

7.根據權利要求6所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述背面摻雜硅層與所述背面電極的圖案對應。

8.根據權利要求6所述的硅基太陽能電池，其特征在于，所述背面隧穿鈍化層選自氧化硅層、氧化鋁層、氧化釩層、氧化鎢層、氧化鎳層、氧化鉬層以及氯化亞銅層中的至少一種。

9.一種硅基太陽能電池，所述硅基太陽能電池包括：

P型晶體硅基體，

設置在所述P型晶體硅基體背面的背面隧穿鈍化層，

設置在所述背面隧穿鈍化層局部區域上的第III族元素摻雜的背面摻雜硅層，

設置在所述背面摻雜硅層以及所述背面隧穿鈍化層未設置所述背面摻雜硅層的區域上的氧化鋁層，

設置在所述氧化鋁層上的覆蓋層，

設置在所述覆蓋層上的背面電極，

設置在所述P型晶體硅基體正面的發射極層，

設置在所述發射極層上的減反射層，以及，

設置在所述減反射層上的正面電極；

其中，所述背面電極穿過所述覆蓋層和所述氧化鋁層與所述背面摻雜硅層歐姆接觸，所述正面電極穿過所述減反射層與所述發射極層歐姆接觸。

10.一種光伏組件，包括依次設置的蓋板、第一封裝膠膜，電池串、第二封裝膠膜和背板，所述電池串包括多個太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池為權利要求1～9任一項所述的硅基太陽能電池。