[實用新型]一種高頻垂直腔面發射激光器芯片及激光器有效
| 申請號： | 201821678879.5 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN209016430U | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吳迪 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 腔面發射激光器 電流限制層 暴露區域 高頻垂直 反射層 襯底 電流注入區域 邊緣區域 絕緣區域 激光器 芯片 發光層 多層 暴露 垂直腔面發射激光器芯片 邊緣設置 襯底背面 出光孔 導電層 連通 申請 覆蓋 | ||
1.一種高頻垂直腔面發射激光器芯片，其特征在于，包括：
襯底、依次形成于所述襯底上的N型層、發光層、電流限制層、P型層和P型電極層，所述襯底背面形成有N型電極層；所述N型層和所述P型層均包括多層反射層；所述發光層、所述電流限制層和所述P型層暴露所述N型層的邊緣區域；所述N型層暴露所述襯底的邊緣區域；
所述N型層邊緣設置有連通所述N型層的多層反射層的導電層；
所述電流限制層包括電流注入區域和絕緣區域；
所述P型層包括與所述絕緣區域對應的暴露區域，所述暴露區域暴露所述P型層中的底層的反射層；
所述P型電極層覆蓋包括所述暴露區域的P型層，所述P型電極層包括與所述電流注入區域對應的出光孔。
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型層還包括設置于多層反射層之上的歐姆接觸層。
3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型層的多層反射層構成P型分布式布拉格反射鏡結構；所述N型層的多層反射層構成N型分布式布拉格反射鏡結構。
4.根據權利要求3所述的芯片，其特征在于，所述P型分布式布拉格反射鏡結構包括多層交替的砷化鋁層和砷化鋁鎵層。
5.根據權利要求3所述的芯片，其特征在于，所述N型分布式布拉格反射鏡結構包括多層交替的砷化鋁層和砷化鋁鎵層。
6.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述電流注入區域為圓孔區域。
7.根據權利要求6所述的芯片，其特征在于，所述圓孔區域的直徑范圍為5-15um。
8.一種高頻垂直腔面發射激光器芯片，其特征在于，包括：
襯底、依次形成于所述襯底上的N型層、發光層、電流限制層、P型層和P型電極層，所述襯底背面形成有N型電極層；所述N型層和所述P型層均包括多層反射層；
所述電流限制層包括電流注入區域和絕緣區域；
所述P型層包括與所述絕緣區域對應的暴露區域，所述暴露區域暴露所述P型層中的底層的反射層；
所述P型電極層覆蓋包括所述暴露區域的P型層，所述P型電極層包括與所述電流注入區域對應的出光孔。
9.一種高頻垂直腔面發射激光器芯片，其特征在于，包括：
襯底、依次形成于所述襯底上的N型層、發光層、電流限制層、P型層和P型電極層，所述襯底背面形成有N型電極層；所述N型層和所述P型層均包括多層反射層；所述發光層、所述電流限制層和所述P型層暴露所述N型層的邊緣區域；所述N型層暴露所述襯底的邊緣區域；
所述N型層邊緣設置有連通所述N型層的多層反射層的導電層；
所述電流限制層包括電流注入區域和絕緣區域；
所述P型電極層包括與所述電流注入區域對應的出光孔。
10.一種激光器，其特征在于，包括權利要求1至9任一所述的高頻垂直腔面發射激光器芯片。
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