[實(shí)用新型]一種多層限流的垂直腔面發(fā)射激光器芯片及激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821678467.1 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN208890097U | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭鈺仁;賈釗;許晏銘;洪來榮;陳為民;陳進(jìn)順;翁妹芝;張坤銘;朱鴻根 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吳迪 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電流限制層 電流注入?yún)^(qū)域 垂直腔面發(fā)射激光器芯片 激光器 發(fā)光層 襯底 多層 限流 垂直腔面發(fā)射激光器 襯底背面 出光孔 單模 申請 | ||
1.一種多層限流的垂直腔面發(fā)射激光器芯片，其特征在于，包括：
襯底、依次形成于所述襯底上的N型層、發(fā)光層、電流限制層、P型層和P型電極層；所述襯底背面形成有N型電極層；
所述電流限制層包括形成于所述發(fā)光層上的第一電流限制層和形成于所述第一電流限制層上第二電流限制層；
所述第一電流限制層包括第一電流注入?yún)^(qū)域；所述第二電流限制層包括與所述第一電流注入?yún)^(qū)域?qū)?yīng)的第二電流注入?yún)^(qū)域，所述第一電流注入?yún)^(qū)域的橫截面積小于所述第二電流注入?yún)^(qū)域的橫截面積；
所述P型電極層包括與所述第二電流注入?yún)^(qū)域?qū)?yīng)的出光孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述P型層包括形成于所述電流限制層上的P-DBR層和形成于所述P-DBR層上的歐姆接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片，其特征在于，所述P-DBR層包括多層交替的砷化鋁層和砷化鋁鎵層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型層為N-DBR層，所述N-DBR層包括多層交替的砷化鋁層和砷化鋁鎵層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電流注入?yún)^(qū)域?yàn)榈谝粓A柱區(qū)域，所述第一圓柱區(qū)域的直徑范圍為3-5um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二電流注入?yún)^(qū)域?yàn)榈诙A柱區(qū)域，所述第二圓柱區(qū)域的直徑范圍為5-15um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述出光孔的橫截面積小于所述第二電流注入?yún)^(qū)域的橫截面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述發(fā)光層為量子阱結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二電流限制層的厚度范圍為20-40nm。
10.一種激光器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一所述的多層限流的垂直腔面發(fā)射激光器芯片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)廈門乾照半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821678467.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
