[實用新型]一種IGBT驅(qū)動模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821674653.8 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN209330081U | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏軍 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市前海深蕾技術(shù)服務有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/567 | 分類號: | H03K17/567;H03K17/082 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 劉顯揚 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓輸出端 驅(qū)動芯片 供電端 本實用新型 電壓輸出 電壓限制單元 供電端電壓 端電壓 參數(shù)選擇 驅(qū)動模塊 自動接通 誤操作 門極 預設(shè) 供電 驅(qū)動 | ||
本實用新型涉及一種IGBT驅(qū)動模塊,包括IGBT驅(qū)動芯片,所述IGBT驅(qū)動芯片包括用于連接在該驅(qū)動模塊驅(qū)動的IGBT的門極的電壓輸出端和用于為該IGBT驅(qū)動芯片供電的供電端,所述電壓輸出端和所述供電端之間連接有在所述電壓輸出端的電壓值大于所述供電端電壓值與預設(shè)值之和時自動接通所述電壓輸出端和所述供電端、使得所述電壓輸出端電壓被限制在設(shè)定電壓值上的電壓限制單元。實施本實用新型的一種IGBT驅(qū)動模塊,具有以下有益效果:其設(shè)計時的參數(shù)選擇較為簡單、且誤操作的可能性較小。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及驅(qū)動電路,更具體地說,涉及一種IGBT驅(qū)動模塊。
背景技術(shù)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率器件,多數(shù)情況下用做開關(guān)器件。其通常通過專用的驅(qū)動芯片進行驅(qū)動,使得其按照設(shè)定的動作進行開關(guān)操作。在常見的IGBT驅(qū)動芯片中,Vout (電壓或驅(qū)動電壓輸出端)支持絕對最大電壓Vcc2+0.5V,當IGBT損壞,或者工作不正常的時候,Vout存在過壓,導致驅(qū)動芯片損壞。目前常用電路在 Vee(等電位端)與Vout加一個TVS管(鉗位二極管),確保Vout電壓不超過最大值。但是這種方案存在一些問題,例如,當不同設(shè)計供電Vcc2電壓改變的時候,原有的TVS管不可用;TVS管擊穿電壓Vbr誤差范圍較大,選擇 TVS管的擊穿電壓參數(shù)很難抉擇。擊穿電壓高了,無法做到有效保護,擊穿電壓低了,每個開關(guān)周期TVS都會工作,降低系統(tǒng)效率,TVS管易發(fā)熱損壞。 TVS管PN結(jié)電容較大,在Vout輸出由高到低的過程中,結(jié)電容放電,會導致輸出電壓有脈沖,造成后級IGBT誤開通,存在風險。總之,現(xiàn)有的驅(qū)動模塊的保護存在更改時需要重新設(shè)計、參數(shù)較難選擇、可能誤操作等缺陷。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題在于,針對現(xiàn)有技術(shù)的上述更改時需要重新設(shè)計、參數(shù)較難選擇、可能誤操作的缺陷,提供一種供電改變時不需重新選擇參數(shù)、參數(shù)較好選擇、不易出現(xiàn)誤操作的一種IGBT驅(qū)動模塊。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種IGBT驅(qū)動模塊,包括IGBT驅(qū)動芯片,所述IGBT驅(qū)動芯片包括用于連接在該驅(qū)動模塊驅(qū)動的IGBT的門極的電壓輸出端和用于為該IGBT驅(qū)動芯片供電的供電端,所述電壓輸出端和所述供電端之間連接有在所述電壓輸出端的電壓值大于所述供電端電壓值與預設(shè)值之和時自動接通所述電壓輸出端和所述供電端使得所述電壓輸出端電壓被限制在設(shè)定電壓值上的電壓限制單元。
更進一步地,所述電壓限制單元包括其陽極連接在所述電壓輸出端、其陰極連接在所述供電端上的二極管。
更進一步地,所述二極管包括其通過電流為1安培的肖特基二極管。
更進一步地,所述IGBT驅(qū)動芯片還包括分別與其驅(qū)動的IGBT的集電極和發(fā)射極電連接的集電極連接端和發(fā)射極連接端;所述發(fā)射極連接端為等電位,與所述集電極連接端之間并接由穩(wěn)壓二極管和電容。
更進一步地,所述集電極連接端通過一個由電阻和二極管串接而成的第一單元連接在所述IGBT的集電極上。
更進一步地,所述第一單元包括依次串接的第一電阻、第一二極管和第一穩(wěn)壓管;其中,所述第一電阻的一端連接在所述集電極連接端,所述第一二極管的陽極與所述第一電阻的另一端連接,所述第一二極管的陰極與所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接,所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接在所述IGBT的集電極上。
更進一步地,并接在所述集電極連接端之間并接由穩(wěn)壓二極管和電容連接在所述第一電阻的一端上。
更進一步地,所述第一穩(wěn)壓管陰極和所述電壓輸出端之間還設(shè)置有并接在其上的雙向二極管。
更進一步地,所述電壓輸出端通過第二電阻連接在所述IGBT的門極上,所述第二電阻與所述IGBT門極連接的一端上還設(shè)置有并接在其上和等電位之間的阻容網(wǎng)絡(luò)。
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