[實用新型]成膜裝置有效
| 申請號： | 201821666566.8 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN209065995U | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 長江亦周;尹詩流;馬圖騰;宮內充祐 | 申請（專利權）人： | 株式會社新柯隆 |
| 主分類號： | C23C14/24 | 分類號： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 黨曉林 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空容器 成膜裝置 基板支架 照射單元 基板 電位 薄膜形成過程 基板保持面 成膜單元 成膜過程 電位狀態 基板保持 異常放電 成膜 薄膜 申請 粒子 發射 保證 | ||
1.一種成膜裝置，其特征在于，包括：
真空容器；
位于所述真空容器內的基板支架，其具有用于保持基板的基板保持面；
位于所述真空容器內的成膜單元，其用于在所述基板上形成薄膜；
位于所述真空容器內的照射單元，其用于向所述基板支架發射粒子；所述照射單元能使所述基板保持面的電位狀態為單一電位。
2.如權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述單一電位包括負電位、正電位、零電位中的一個。
3.如權利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于：所述照射單元包括：
位于所述真空容器內的離子源，其用于向所述基板發射離子；
位于所述真空容器內的電子源，其用于向所述基板發射電子。
4.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：所述離子源在所述基板保持面的照射區域位于所述電子源在所述基板保持面的照射區域內。
5.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：所述電子源將所述基板保持面的全部區域照射；所述離子源將所述基板保持面的部分區域照射。
6.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：沿豎直方向或所述基板支架的旋轉軸線方向，所述電子源位于所述基板保持面的投影范圍內。
7.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：所述真空容器設有排氣部；所述電子源設置于靠近所述排氣部沿所述基板支架運動方向的中間位置。
8.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：所述成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的蒸鍍源；所述電子源位于兩個所述電子槍之間。
9.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：所述成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的蒸鍍源；兩個所述電子槍中，沿著兩個所述電子槍之間連線的方向，其中一個電子槍與所述電子源的距離、另一個電子槍與所述電子源的距離均小于兩個電子槍之間的距離。
10.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：沿豎直方向或所述基板支架的旋轉軸線方向，所述離子源位于所述基板保持面的投影范圍內。
11.如權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：該成膜裝置還包括：調節所述電子源的發射參數的調節單元，其通過調節所述電子源的發射參數以調節所述電子源發射至所述基板保持面的電子密度；其中，所述發射參數包括所述電子源的位置、發射直徑、發射口形狀、朝向、偏置電流、個數中的至少一個。
12.如權利要求11所述的成膜裝置，其特征在于：該成膜裝置還包括：電位檢測單元；所述電位檢測單元能夠檢測所述基板保持面的電位狀態；所述電子源能夠根據所述電位狀態調節發射至所述基板保持面的電子密度。
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