[實用新型]一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路有效
| 申請號: | 201821662826.4 | 申請日: | 2018-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN209103181U | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 胡建國;吳勁;王德明;丁顏玉 | 申請(專利權)人: | 廣州智慧城市發展研究院 |
| 主分類號: | G05F3/26 | 分類號: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 胡輝 |
| 地址: | 510800 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流源 雙電壓 域基準 電路 帶隙基準電路 本實用新型 輸出端連接 輸入端 穩壓 誤差放大器 啟動電路 轉化 芯片 基準電流源 集成IC電路 供電 電路完成 基準電流 來源問題 電壓域 功耗 轉換 靈活 應用 | ||
1.一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:包括啟動電路、帶隙基準電路、雙電壓域基準電流源轉化電路和誤差放大器,所述啟動電路的輸出端連接帶隙基準電路的輸入端,所述帶隙基準電路的輸出端連接雙電壓域基準電流源轉化電路的輸入端,所述雙電壓域基準電流源轉化電路的輸出端連接誤差放大器的輸入端。
2.根據權利要求1所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述啟動電路包括第一5V的P型MOS管、第一5V的N型MOS管、第二5V的N型MOS管以及第七電阻,所述第七電阻的一端連接高電壓域,所述第七電阻的另一端連接第一5V的P型MOS管的源極,所述第一5V的P型MOS管的柵極連接第二5V的N型MOS管的柵極和帶隙基準電路的輸入端,所述第一5V的P型MOS管的漏極連接第一5V的N型MOS管的柵極和第二5V的N型MOS管的漏極,所述第一5V的N型MOS管的源極接地,所述第一5V的N型MOS管的漏極連接帶隙基準電路的輸入端。
3.根據權利要求2所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述帶隙基準電路包括第二5V的P型MOS管、第三5V的P型MOS管、第四5V的P型MOS管、第六5V的P型MOS管、第七5V的P型MOS管、第五5V的N型MOS管、第六5V的N型MOS管、第七5V的N型MOS管、第一三極管、第二三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻,所述第二5V的P型MOS管的柵極、第三5V的P型MOS管的柵極、第四5V的P型MOS管的柵極、第五5V的P型MOS管的柵極和第六5V的P型MOS管的漏極均與第一5V的N型MOS管的漏極連接,所述第一電阻的一端分別連接第二5V的P型MOS管的漏極和第一三極管的發射極,所述第一電阻的另一端、第一三極管的基極、第二三極管的基極、第一三極管的集電極和第二三極管的集電極都接地,所述第二5V的P型MOS管的漏極與第一三極管的發射極連接,所述第二電阻的一端連接第三5V的P型MOS管的漏極,所述第二電阻的另一端連接第二三極管的發射極,所述第三電阻的一端連接第三5V的P型MOS管的漏極,所述第三電阻的另一端接地,所述第四電阻的一端連接第四5V的P型MOS管的漏極,所述第四電阻的另一端接地。
4.根據權利要求3所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述第六5V的P型MOS管、第七5V的P型MOS管、第五5V的N型MOS管、第六5V的N型MOS管和第七5V的N型MOS管組成一級運算放大器,所述第五5V的N型MOS管的柵極連接高電壓域,所述一級運算放大器的輸出端分別連接第二5V的P型MOS管的柵極、第三5V的P型MOS管的柵極、第四5V的P型MOS管的柵極以及第五5V的P型MOS管的柵極。
5.根據權利要求3所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述第一三極管、第二三極管和第二電阻組成第一電流產生器;所述第一電流產生器的基準電壓與絕對溫度成正比。
6.根據權利要求5所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述第一三極管、第二三極管、第二電阻、第一電阻和第三電阻組成第二電流產生器,所述第二電流產生器的基準電壓與絕對溫度互補。
7.根據權利要求4所述的一種同步實現線性穩壓與雙電壓域基準電流源的電路,其特征在于:所述雙電壓域基準電流源轉化電路包括第五5V的P型MOS管、第三5V的N型MOS管、第四5V的N型MOS管、第一18V的P型MOS管、第二18V的P型MOS管、第三18V的P型MOS管和第一18V的N型MOS管。
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