[實(shí)用新型]具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821657737.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208690304U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋文志;吳清來(lái);苗壯;李顯躍;郭磊;傅春榮;余鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 棓諾(蘇州)新材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50
• 代理公司: 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

本實(shí)用新型提供一種具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件，該OLED器件的有機(jī)功能層由依次排列的空穴注入層、空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層組成；其中空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)由依次相連的n組復(fù)合組件構(gòu)成，2≤n≤5；每組復(fù)合組件包括一層空穴傳輸單元和一層空穴阻擋單元；第k組復(fù)合組件的空穴阻擋單元與第k+1組復(fù)合組件的空穴傳輸單元相連，1≤k≤n?1；第一組復(fù)合組件的空穴傳輸單元與空穴注入層相連；第n組空穴阻擋單元與發(fā)光層相連。本實(shí)用新型所提供的空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)可以逐步緩沖空穴的傳播速度，實(shí)現(xiàn)空穴的穩(wěn)定傳播，提高OLED器件的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光電顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)OLED器件。

背景技術(shù)

OLED是Organic Light EmittingDiode的英文縮寫，譯為有機(jī)發(fā)光二極管。

OLED的發(fā)光機(jī)理是在外加電場(chǎng)的作用下，電子和空穴分別從陰陽(yáng)兩極注入有機(jī)發(fā)光材料，注入的電子和空穴相遇配對(duì)，形成“電子-空穴對(duì)”，被稱為激子，激子能量釋放而發(fā)光。

現(xiàn)有的有機(jī)材料中，空穴傳輸材料的空穴遷移率普遍高于電子傳輸材料的電子遷移率，從而造成電子和空穴注入的不平衡，這種不平衡不利于激子的形成，從而影響OLED器件的光電特性，如發(fā)光效率、發(fā)光亮度等。

有機(jī)發(fā)光OLED器件為夾層式結(jié)構(gòu)，有機(jī)功能層夾在兩電極之間，現(xiàn)多為多層有機(jī)電致發(fā)光OLED器件，以有利于空穴和電子的平衡注入，提高OLED器件的整體性能。

空穴傳輸層具有較高的空穴遷移率，在不斷的電子給出過(guò)程中表現(xiàn)出空穴的遷移特性。

為改善空穴傳輸層的空穴傳輸能力多使用空穴阻擋法，即在空穴傳輸層與發(fā)光層之間插入空穴阻擋層。但阻擋效果受阻擋材料和阻擋層厚度影響極大，性能穩(wěn)定性差，如現(xiàn)有技術(shù)中空穴阻擋層(常用BCP(CAS：4733-39-5)材料)，電子遷移率太低，從而導(dǎo)致OLED器件工作壓力過(guò)高的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提出一種具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件，能夠?qū)崿F(xiàn)空穴的穩(wěn)定傳播；

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件，所述OLED器件包括ITO陽(yáng)級(jí)、有機(jī)功能層和陰極，其特征在于：

所述有機(jī)功能層由依次排列的空穴注入層、空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層組成；

注：上述空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層均為現(xiàn)有技術(shù)。

所述空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)由依次相連的n組復(fù)合組件構(gòu)成，2≤n≤5；

每組復(fù)合組件包括一層空穴傳輸單元和一層空穴阻擋單元；

第k組復(fù)合組件的空穴阻擋單元與第k+1組復(fù)合組件的空穴傳輸單元相連，1≤k≤n-1；

第一組復(fù)合組件的空穴傳輸單元與空穴注入層相連；

第n組空穴阻擋單元與發(fā)光層相連。

作為本實(shí)用新型具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件的改進(jìn)：

所述空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)由依次相連的n組復(fù)合組件構(gòu)成，2≤n≤3。

作為本實(shí)用新型具有空穴傳輸阻擋復(fù)合結(jié)構(gòu)的OLED器件的改進(jìn)：

每組復(fù)合組件中空穴傳輸單元的厚度為5-30nm；

每組復(fù)合組件中空穴阻擋單元厚度為2-10nm。

上述ITO指銦錫氧化物。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是：