[實(shí)用新型]太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821646742.1
• 申請(qǐng)日: 2018-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN209029399U
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李華;童洪波;張洪超;靳玉鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/068
• 分類號(hào): H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京工信聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11266
• 代理人: 商琛

本實(shí)用新型提供了一種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池包括：基底，位于基底正面的正面結(jié)構(gòu)和位于基底背面的背面結(jié)構(gòu)；正面結(jié)構(gòu)包括：第一摻雜層、鈍化隧穿層、第二摻雜層、鈍化減反射層和正面電極；第一摻雜層、鈍化隧穿層、第二摻雜層和鈍化減反射層依次排列，正面電極穿過鈍化減反射層與第二摻雜層接觸；背面結(jié)構(gòu)包括：背面鈍化膜和背面電極；背面電極通過背面鈍化膜的接觸區(qū)域與基底接觸。本實(shí)用新型中，增加了鈍化隧穿層，有效地降低了電池的表面復(fù)合速率，從而提高了電池的表面鈍化性能；正面電極和第二摻雜層接觸，可有效地提高電池正表面的橫向傳輸效率，降低電池的串聯(lián)電阻，從而提高電池的填充因子和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)

目前，隨著化石能源的逐漸耗盡，太陽(yáng)電池作為新的能源替代方案，使用越來(lái)越廣泛。太陽(yáng)電池是將太陽(yáng)的光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置。太陽(yáng)電池利用光生伏特原理產(chǎn)生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。

目前市場(chǎng)上商業(yè)化的太陽(yáng)電池片，大部分為P型太陽(yáng)電池。其中， PERC電池(鈍化發(fā)射極和背面電池)是目前推廣較快的電池類型。PERC 電池結(jié)構(gòu)是在太陽(yáng)電池的表面制備一層摻雜層，然后再在其上制備鈍化層及電極。在這種情況下，表面摻雜層的摻雜濃度均比較高，才能使得電阻率比較低，使得在電池片表面的載流子橫向傳輸至電池電極時(shí)有較小的電阻損耗。

而在表面濃度比較高的情況下，空穴和電子的復(fù)合加大，尤其是在高濃度摻雜的方式下，通常會(huì)產(chǎn)生沒有進(jìn)行有效摻雜的“死層”雜質(zhì)以及摻雜損傷，使得電池的開路電壓，短路電流等效率進(jìn)一步降低。但如果降低表面摻雜，降低表面復(fù)合速率，則會(huì)導(dǎo)致橫向?qū)щ娔芰κ艿街萍s，并且這種結(jié)構(gòu)對(duì)于降低表面復(fù)合速率和提高表面鈍化效果來(lái)說，效果也極為有限。迫切的需要一種方案解決這一問題，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有方式的缺點(diǎn)，提出一種太陽(yáng)能電池，用以解決現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率低的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池，包括：基底，位于基底正面的正面結(jié)構(gòu)和位于基底背面的背面結(jié)構(gòu)；

正面結(jié)構(gòu)包括：第一摻雜層、鈍化隧穿層、第二摻雜層、鈍化減反射層和正面電極；第一摻雜層、鈍化隧穿層、第二摻雜層和鈍化減反射層依次排列，正面電極穿過鈍化減反射層與第二摻雜層接觸；

背面結(jié)構(gòu)包括：背面鈍化膜和背面電極；背面電極通過背面鈍化膜的接觸區(qū)域與基底接觸。

進(jìn)一步地，正面電極穿過鈍化減反射層、第二摻雜層和鈍化隧穿層，并與第一摻雜層接觸。

進(jìn)一步地，基底具有第一導(dǎo)電類型，第一摻雜層和所述第二摻雜層均具有第二導(dǎo)電類型。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電類型為p型導(dǎo)電；

以及，背面結(jié)構(gòu)還包括空穴摻雜層；

空穴摻雜層在第一區(qū)域與基底接觸；背面電極通過背面鈍化膜的接觸區(qū)域與合金層接觸。

進(jìn)一步地，第一導(dǎo)電類型為p型導(dǎo)電；

以及，背面結(jié)構(gòu)還包括：空穴摻雜層和合金層；

空穴摻雜層在第一區(qū)域與基底接觸；合金層設(shè)置于空穴摻雜層的、與基底相對(duì)的一側(cè)，并與空穴摻雜層接觸；

背面電極通過背面鈍化膜的接觸區(qū)域與合金層接觸。

進(jìn)一步地，第一摻雜層的方塊電阻為50ohm/sq-300ohm/sq。

進(jìn)一步地，第二摻雜層可以包含多晶硅。

進(jìn)一步地，第二摻雜層還可以包含非晶硅。