[實用新型]一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統

有效

• 申請號: 201821639253.3
• 申請日: 2018-10-10
• 公開（公告）號: CN208689456U
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 靖紅軍;安德越;朱劍飛;王文靜
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: G05D23/20
• 分類號: G05D23/20
• 代理公司: 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) 34153
• 代理人: 王林

1.一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，包括能夠產生太赫茲波的輻射板，用于固定輻射板的底座，均勻設置在輻射板上的加熱裝置，以及設置在輻射板內的反饋式溫度控制裝置；所述輻射板包括依次排列的加熱層、金屬層、太赫茲輻射層，加熱裝置內置于加熱層中。

2.根據權利要求1所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述輻射板還包括第一隔熱層、第二隔熱層、外飾面層、內飾面層；所述第一隔熱層排列在加熱層的另一面，外飾面層排列在第一隔熱層的另一面，所述第二隔熱層排列在太赫茲輻射層的另一面，內飾面層排列在第二隔熱層的另一面。

3.根據權利要求2所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述第一隔熱層、第二隔熱層均為聚氨酯纖維材質制得的薄片結構。

4.根據權利要求2所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述外飾面層為金屬材質制得的薄片結構，內飾面層為薄片結構。

5.根據權利要求2所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述加熱裝置為半導體電熱片，均勻的布置在加熱層內。

6.根據權利要求2所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述金屬層為銅制薄膜結構。

7.根據權利要求2所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述太赫茲輻射層為薄片結構，且太赫茲輻射層的高、寬、厚分別為1500-2500毫米、1000-1500毫米、35-55毫米。

8.根據權利要求7所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述加熱層、金屬層、太赫茲輻射層、第一隔熱層、第二隔熱層、外飾面層、內飾面層的高度和寬度尺寸相同。

9.根據權利要求1所述的一種用于被動式太赫茲成像的環境控制系統，其特征在于，所述反饋式溫度控制裝置包括溫度傳感器、D/A模塊、A/D模塊、計算機、可控硅模塊、電源；計算機一端依次連接D/A模塊、可控硅模塊、加熱裝置、溫度傳感器、A/D模塊，A/D模塊另一端連接計算機另一端，可控硅模塊連接電源。