[實(shí)用新型]一種多功能全硅振蕩器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821637954.3 | 申請日: | 2018-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN208401811U | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡華才 | 申請(專利權(quán))人: | 河源市星通時(shí)頻電子有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/24 |
| 代理公司: | 深圳市道勤知酷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44439 | 代理人: | 何兵;饒盛添 |
| 地址: | 517000 廣東省河源市高新技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅諧振器 互補(bǔ)型 小數(shù)點(diǎn) 分頻器 可編程 本實(shí)用新型 振蕩器 綁定 環(huán)回 金線 全硅 溫度補(bǔ)償電路板 表面固定 頂部設(shè)置 固定頻率 頻率傳遞 頻率輸出 分頻數(shù) 鎖相環(huán) 倍頻 振蕩 傳遞 輸出 | ||
本實(shí)用新型公開了一種多功能全硅振蕩器,包括MEMS硅諧振器,所述MEMS硅諧振器的底部固定連接有互補(bǔ)型MOS集成電路,所述互補(bǔ)型MOS集成電路的表面固定連接有金線綁定,所述金線綁定上遠(yuǎn)離互補(bǔ)型MOS集成電路的一端固定連接有溫度補(bǔ)償電路板。本實(shí)用新型通過設(shè)置MEMS硅諧振器,MEMS硅諧振器將產(chǎn)生的頻率傳遞給互補(bǔ)型MOS集成電路,互補(bǔ)型MOS集成電路的頂部設(shè)置有鎖相環(huán)回路,鎖相環(huán)回路中設(shè)置有可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器,通過可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器將MEMS硅諧振器振蕩傳遞來的固定頻率,通過更改可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器的分頻數(shù),達(dá)到通過鎖相環(huán)倍頻方式進(jìn)行任意頻率的輸出,達(dá)到了調(diào)節(jié)頻率輸出的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及MEMS硅振蕩器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種多功能全硅振蕩器。
背景技術(shù)
時(shí)鐘源的產(chǎn)生,有多種方式,比如LC振蕩,RC振蕩,石英晶體振蕩等等。但是這些方式產(chǎn)生的時(shí)鐘源,頻率一旦確定,無法對頻率進(jìn)行更改,導(dǎo)致使用不便,需要進(jìn)行改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種多功能全硅振蕩器,具備了調(diào)節(jié)頻率輸出的優(yōu)點(diǎn),解決了LC振蕩,RC振蕩,石英晶體振蕩等方式產(chǎn)生的時(shí)鐘源,頻率一旦確定,無法對頻率進(jìn)行更改,導(dǎo)致使用不便的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種多功能全硅振蕩器,包括MEMS硅諧振器,所述MEMS硅諧振器的底部固定連接有互補(bǔ)型MOS集成電路,所述互補(bǔ)型MOS集成電路的表面固定連接有金線綁定,所述金線綁定上遠(yuǎn)離互補(bǔ)型MOS集成電路的一端固定連接有溫度補(bǔ)償電路板。
優(yōu)選的,所述MEMS硅諧振器的輸出端與互補(bǔ)型MOS集成電路的輸入端電性連接。
優(yōu)選的,所述互補(bǔ)型MOS集成電路的輸出端通過金線綁定與溫度補(bǔ)償電路板的輸入端電性連接。
優(yōu)選的,所述溫度補(bǔ)償電路板側(cè)面的四周固定連接有保護(hù)蓋。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果如下:
一、本實(shí)用新型通過設(shè)置MEMS硅諧振器,MEMS硅諧振器將產(chǎn)生的頻率傳遞給互補(bǔ)型MOS集成電路,互補(bǔ)型MOS集成電路的頂部設(shè)置有鎖相環(huán)回路,鎖相環(huán)回路中設(shè)置有可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器,通過可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器將MEMS硅諧振器振蕩傳遞來的固定頻率,通過更改可編程小數(shù)點(diǎn)分頻器的分頻數(shù),達(dá)到通過鎖相環(huán)倍頻方式進(jìn)行任意頻率輸出的效果,互補(bǔ)型MOS集成電路通過金線綁定與溫度補(bǔ)償電路板電性連接,對產(chǎn)品溫度-頻率的溫度特性進(jìn)行改善,達(dá)到了調(diào)節(jié)頻率輸出的效果。
二、本實(shí)用新型通過設(shè)置保護(hù)蓋,保護(hù)蓋將MEMS硅諧振器、互補(bǔ)型MOS集成電路、金線綁定和溫度補(bǔ)償電路板罩起來,達(dá)到了保護(hù)MEMS硅諧振器、互補(bǔ)型MOS集成電路、金線綁定和溫度補(bǔ)償電路板的效果。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型正視圖的剖視示意圖;
圖2為本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1-MEMS硅諧振器、2-互補(bǔ)型MOS集成電路、3-金線綁定、4-溫度補(bǔ)償電路板、5-保護(hù)蓋。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
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