[實用新型]集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅有效

申請號：	201821632602.9	申請日：	2018-10-09
公開（公告）號：	CN208848907U	公開（公告）日：	2019-05-10
發明（設計）人：	董樹榮;徐澤坤;沈宏宇;郭維;胡濤	申請（專利權）人：	浙江大學昆山創新中心
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L29/74
代理公司：	南京縱橫知識產權代理有限公司 32224	代理人：	董建林
地址：	215347 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	注入區集成電路本實用新型二極管觸發靜電防護電學可控硅襯底陰極觸發電壓導通電阻依次連接陽極魯棒性
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【權利要求書】：

1.集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：包括第一襯底，第一襯底上設置有依次連接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上設置有第一P+注入區和第一N+注入區，第一P+注入區接入電學陽極，第一P阱上設置有第二P+注入區和第二N+注入區，第二P+注入區連接第一N+注入區，第二N阱上設置有第三N+注入區，第三N+注入區和第二N+注入區均接入電學陰極。

2.根據權利要求1所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第一襯底為P型襯底。

3.根據權利要求1所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第一P+注入區和第一N+注入區之間、第一N+注入區和第二P+注入區之間、第二P+注入區和第二N+注入區之間、第二N+注入區與第三N+注入區之間均設置有淺槽隔離，橫向方向上，第一P+注入區靠外的一側也設置有淺槽隔離。

4.根據權利要求1所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第二P+注入區與第一N+注入區金屬連接。

5.集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：包括第二襯底，第二襯底上設置有依次連接的第二P阱、第三N阱和第三P阱，第二P阱上設置有第三P+注入區，第三N阱上設置有第四P+注入區和第四N+注入區，第四P+注入區和第三P+注入區均接入電學陽極，第三P阱上設置有第五P+注入區和第五N+注入區，第五P+注入區連接第四N+注入區，第五N+注入區接入電學陰極。

6.根據權利要求5所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第二襯底為P型襯底。

7.根據權利要求5所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第三P+注入區和第四P+注入區之間、第四P+注入區和第四N+注入區之間、第四N+注入區和第五P+注入區之間、第五P+注入區與第五N+注入區之間均設置有淺槽隔離，橫向方向上，第五N+注入區靠外的一側也設置有淺槽隔離。

8.根據權利要求5所述的集成電路靜電防護的二極管觸發可控硅，其特征在于：第五P+注入區與第四N+注入區金屬連接。

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