[實用新型]相移掩膜版及相移掩模光刻設備

有效

• 申請號: 201821631386.6
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN208737211U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種用于制備柱狀結構的相移掩膜版，其特征在于，包括：

透明光刻板基板；

所述透明光刻板基板的上表面包括多個沿預定方向延伸的第一透光區和第二透光區，所述第一透光區和第二透光區交替排列；各所述第一透光區包括沿所述預定方向依次間隔交替排列的第一相移區和第二相移區，各所述第二透光區包括沿所述預定方向依次間隔交替排列的第四相移區和第三相移區；

所述透明光刻板基板的下表面包括多個沿所述預定方向延伸的不透光圖形區，各所述不透光圖形區同時部分遮蔽各所述第一透光區中的所述第一相移區和所述第二相移區，并同時部分遮蔽各所述第二透光區中的所述第四相移區和所述第三相移區；

其中，透過所述第一相移區的出射光束與透過所述第二相移區的出射光束之間具有90度的相位差，透過所述第一相移區的出射光束與透過所述第三相移區的出射光束之間具有180度的相位差，透過所述第一相移區的出射光束與透過所述第四相移區的出射光束之間具有270度的相位差。

2.如權利要求1所述的相移掩膜版，其特征在于，所述第一相移區具有第一厚度，所述第二相移區具有第二厚度，所述第三相移區具有第三厚度，所述第四相移區具有第四厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度，所述第三厚度大于所述第四厚度，所述第一厚度等于所述透明光刻板基板的厚度。

3.如權利要求2所述的相移掩膜版，其特征在于，所述第一厚度與所述第二厚度存在厚度差H1，所述第一厚度與所述第三厚度存在厚度差H2，所述第一厚度與所述第四厚度存在厚度差H3，所述H1：H2：H3＝1/2：1：3/2。

4.如權利要求1所述的相移掩膜版，其特征在于，所述不透光圖形區由遮光膜構成。

5.如權利要求4所述的相移掩膜版，其特征在于，所述遮光膜包括鉻膜。

6.一種用于制備柱狀結構的相移掩模光刻設備，其特征在于，包括：

如權利要求1-5任一項所述的相移掩膜版；

曝光裝置，所述曝光裝置用于利用所述相移掩膜版對晶圓表面的光刻膠進行曝光。