[實用新型]一種半導體結構有效
| 申請號： | 201821631023.2 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN208738255U | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 半導體結構 溝槽結構 半導體 開口 上表面 下表面 本實用新型 短溝道效應 向下表面 柵極結構 柵極通道 柵結構 延伸 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底具有器件隔離結構，以在所述半導體襯底上形成器件有源區；
形成在所述器件有源區內的溝槽結構，所述溝槽結構包括：
第一溝槽，所述第一溝槽位于所述半導體襯底內并從所述半導體襯底的上表面向下表面延伸，所述第一溝槽具有第一開口寬度；
第二溝槽，所述第二溝槽位于所述半導體襯底內并從所述第一溝槽的底部向所述半導體襯底的下表面延伸，所述第二溝槽具有第二開口寬度，所述第二開口寬度小于所述第一開口寬度；以及
柵極結構，所述柵極結構位于所述溝槽結構內。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一溝槽的深度不大于500nm，所述第一開口寬度介于0.1-100nm，所述第二溝槽的深度不大于100nm，所述第二開口寬度介于0.1-50nm。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述柵極結構包括柵介質層、柵電極層以及柵極隔離層，所述柵介質層覆蓋在所述溝槽結構的側壁和底表面上，所述柵電極層填充在具有所述柵介質層的溝槽結構中且頂表面低于所述第一溝槽的頂表面，所述柵極隔離層填滿所述柵電極層上方的所述溝槽結構。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述器件隔離結構包括溝槽隔離結構。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司，未經長鑫存儲技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821631023.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
