[實用新型]自能式滅弧室的膨脹室裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821630975.2
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN208637359U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 史俊;賀小瑞;孫會峰;陳杳偉;楊龍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安西電開關(guān)電氣有限公司;中國西電電氣股份有限公司
• 主分類號: H01H33/53
• 分類號: H01H33/53;H01H33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙煥;李海建

本實用新型公開了一種自能式滅弧室的膨脹室裝置，包括活塞、活塞桿和膨脹室，膨脹室安裝在活塞桿外側(cè)，活塞桿上設(shè)有能夠與膨脹室連通的第一逆止閥，當活塞桿的內(nèi)腔氣壓大于所膨脹室氣壓時，第一逆止閥打開，活塞桿上設(shè)有泄壓孔，當活塞桿位于封閉狀態(tài)時，泄壓孔位于關(guān)閉狀態(tài)，當活塞桿處于打開狀態(tài)時，泄壓孔位于打開狀態(tài)；當泄壓孔位于打開狀態(tài)時，第一逆止閥位于關(guān)閉狀態(tài)。在開斷短路故障大電流時，除了噴口喉道的氣流可以增加膨脹室壓力外，活塞桿內(nèi)的氣體也可以用來增加膨脹室壓力，進而使得膨脹室內(nèi)的氣體快速增加，效提高膨脹室建立壓力的效率，提高滅弧室開斷性能，進而自能式滅弧室的滅弧性能提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及高壓開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種自能式滅弧室的膨脹室裝置。本實用新型還涉及一種包括上述膨脹室裝置的自能式滅弧室

背景技術(shù)

自能式滅弧室是采用自能和助吹的滅弧原理，充分利用電弧自身的能量，來減少操作功和滅弧。當冷氣流吹過電弧弧柱時，能對弧柱的外圍部分起冷卻作用，與此同時，在冷氣流中熾熱的電弧能反過來影響氣流的行為，如使來流繞行或使通道流量減少，實現(xiàn)電弧堵塞效應(yīng)。

傳統(tǒng)的膨脹室裝置是在氣壓室和膨脹室之間設(shè)置逆止閥，活塞桿運動，氣壓室氣壓增大，逆止閥打開，將氣壓室的高壓氣體輸送至膨脹室，即利用電弧燃燒后喉道部分的氣流來增大膨脹室壓力。

然而，由于只能利用電弧燃燒后喉道部分的氣流來增大膨脹室壓力，膨脹室進氣較慢，膨脹室的氣壓升壓較慢，導(dǎo)致自能式滅弧室的滅弧性能較低。

因此，如何提高自能式滅弧室的滅弧性能，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種自能式滅弧室的膨脹室裝置，自能式滅弧室的滅弧性能提高。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種自能式滅弧室的膨脹室裝置，包括活塞、活塞桿和膨脹室，所述膨脹室安裝在所述活塞桿外側(cè)，所述活塞桿上設(shè)有能夠與所述膨脹室連通的第一逆止閥，當所述活塞桿的內(nèi)腔氣壓大于所述膨脹室氣壓時，所述第一逆止閥打開；

所述活塞桿上設(shè)有泄壓孔，當所述活塞桿位于封閉狀態(tài)時，所述泄壓孔位于關(guān)閉狀態(tài)；當所述活塞桿處于打開狀態(tài)時，所述泄壓孔位于打開狀態(tài)；當所述泄壓孔位于打開狀態(tài)時，所述第一逆止閥位于關(guān)閉狀態(tài)。

優(yōu)選地，還包括壓氣室及設(shè)置在所述壓氣室上，且與外界連通的減壓裝置，所述壓氣室通過第二逆止閥與所述膨脹室連接，當所述膨脹室氣壓小于所述壓氣室氣壓時，所述第二逆止閥打開。

優(yōu)選地，所述壓氣室和所述膨脹室均套設(shè)在所述活塞桿的外側(cè)，所述活塞與所述壓氣室密封連接，所述活塞和所述膨脹室位于所述壓氣室相對兩側(cè)。

優(yōu)選地，所述活塞桿為一個，所述活塞桿的軸線、所述壓氣室的中心線和所述膨脹室的中心線重合。

優(yōu)選地，所述壓氣室與所述膨脹室相鄰，且所述壓氣室和所述膨脹室通過間隔板分隔，所述第二逆止閥安裝在所述間隔板上。

優(yōu)選地，所述間隔板與所述壓氣室為一體成型結(jié)構(gòu)，所述膨脹室側(cè)壁設(shè)有與所述隔板和所述壓氣室外壁密封連接的限位臺階。

優(yōu)選地，所述泄壓孔為腰型孔。

優(yōu)選地，所述第一逆止閥位于所述活塞桿的正上方。

優(yōu)選地，所述泄壓孔為兩個，兩個所述泄壓孔相對布置在所述活塞桿的相對兩側(cè)。

優(yōu)選地，當所述活塞桿位于封閉狀態(tài)時，所述泄壓孔與所述活塞的內(nèi)表面密封貼合；當所述活塞桿處于打開狀態(tài)時，所述泄壓孔位于所述活塞外側(cè)。