[實用新型]一種單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821626056.8
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN209516966U
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖文勛;胡建雨;張波;黃子田
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器，其特征在于包括一開關(guān)管（S₁）、第二開關(guān)管（S₂）、第三開關(guān)管（S₃）、第四開關(guān)管（S₄）、第五開關(guān)管（S₅）、第六開關(guān)管（S₆）、第七開關(guān)管（S₇）、第八開關(guān)管（S₈）、第一二極管（VD₁）、第二二極管（VD₂）、第三二極管（VD₃）、第四二極管（VD₄）、第一電感（L₁）、第二電感（L₂）、第一電容（C_dc1）和第二電容（C_dc2）；直流母線的正極與第一電容（C_dc1）的一端、第一開關(guān)管（S₁）的漏極和第三開關(guān)管（S₃）的漏極連接；第一電容（C_dc1）的另一端與第二電容（C_dc2）的一端、第七開關(guān)管（S₇）的漏極和第八開關(guān)管（S₈）的漏極連接；直流母線的負(fù)極與第二電容（C_dc2）的另一端、第二開關(guān)管（S₂）的源極和第四開關(guān)管（S₄）的源極連接；第一開關(guān)管（S₁）的源極與第一二極管（VD₁）的陰極、第五開關(guān)管（S₅）的漏極和第一電感（L₁）的一端連接；第一電感（L₁）的另一端與電網(wǎng)的一端相連；第一二極管（VD₁）的陽極與第七開關(guān)管（S₇）的源極和第三二極管（VD₃）的陰極連接；第三二極管（VD₃）的陽極與第六開關(guān)管（S₆）的源極和第二開關(guān)管（S₂）的漏極連接；第三開關(guān)管（S₃）的源極與第二二極管（VD₂）的陰極、第六開關(guān)管（S₆）的漏極、和第二電感（L₂）的一端連接；第二二極管（VD₂）的陽極與第八開關(guān)管（S₈）的源極和第四二極管（VD₄）的陰極連接；第四二極管（VD₄）的陽極與第五開關(guān)管（S₅）的源極和第四開關(guān)管（S₄）的漏極連接；第二電感（L₂）的另一端與電網(wǎng)另一端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器，其特征在于：所述開關(guān)管均采用N溝道增強型MOSFET。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器，其特征在于：第七開關(guān)管與第八開關(guān)管起鉗位作用，第一電容（C_dc1）和第二電容（C_dc2）容值相等。