[實用新型]溝槽隔離結構及半導體器件

有效

• 申請號: 201821624816.1
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN208738212U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 林仕杰;江文湧
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種溝槽隔離結構，其特征在于，所述溝槽隔離結構形成于一襯底中，其中，所述溝槽隔離結構包括第一隔離部和第二隔離部，所述第一隔離部從所述襯底的表面往所述襯底的內部延伸，所述第二隔離部位于所述第一隔離部的下方并與所述第一隔離部連接，并且所述第二隔離部在垂直于高度方向上的橫向寬度尺寸大于所述第一隔離部在垂直于高度方向上的橫向寬度尺寸，以使所述第二隔離部相對于所述第一隔離部橫向凸出。

2.如權利要求1所述的溝槽隔離結構，其特征在于，所述溝槽隔離結構的所述第二隔離部呈弧形。

3.如權利要求1所述的溝槽隔離結構，其特征在于，所述溝槽隔離結構包括填充于一隔離溝槽中的隔離材料層，所述隔離材料層包括氧化硅、游離氧化硅或硅碳氧化物中的一種或多種。

4.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括襯底及形成于所述襯底中的溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構界定出多個有源區于所述襯底中；

其中，所述溝槽隔離結構包括第一隔離部和第二隔離部，所述第一隔離部從所述襯底的表面往所述襯底的內部延伸，所述第二隔離部位于所述第一隔離部的下方并與所述第一隔離部連接，并且所述第二隔離部在垂直于高度方向上的橫向寬度尺寸大于所述第一隔離部在垂直于高度方向上的橫向寬度尺寸，以使所述第二隔離部相對于所述第一隔離部以朝向所述有源區的方向橫向凸出。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括集成電路存儲器，所述有源區用于構成所述集成電路存儲器中的晶體管。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述有源區的襯底中掩埋有柵極結構，所述柵極結構的底部延伸至所述襯底的第一深度位置，所述溝槽隔離結構的所述第二隔離部位于所述襯底的第二深度位置和第三深度位置之間，所述第一深度位置高于所述第二深度位置并低于所述第三深度位置，并使所述第二隔離部和所述柵極結構之間的間隔尺寸小于所述第一隔離部和所述柵極結構之間的間隔尺寸。