[實用新型]雙層加熱腔室和雙層加熱腔體組件

有效

• 申請號: 201821621125.6
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN209128537U
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 李丙科;陳慶敏
• 申請（專利權）人: 無錫松煜科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 王闖;葛莉華

本實用新型公開了一種雙層加熱腔室和雙層加熱腔體組件。雙層加熱腔室用于原子層沉積裝置，包括第一腔體和第二腔體，第一腔體內至少固定容置有1個第二腔體，第一腔體和第二腔體的內壁間隔設置。第一腔體內鋪設有加熱管，加熱管至少包圍第二腔體的。本實用新型實施方式的雙層加熱腔室中，加熱管和第二腔體不接觸，加熱管產生的熱量通過第一腔體和第二腔體之間傳遞到第二腔體中，避免第二腔體中的材料在持續高溫環境中發生氧化，附著在第二腔體中的待加工元件表面，影響加工質量。

技術領域

本實用新型涉及原子層沉積領域，尤其涉及一種雙層加熱腔室和雙層加熱腔體組件。

背景技術

在相關技術中，加熱管和硅片位于同一密閉空間內，加熱管持續加熱，為硅片提供高溫環境。這種結構中，腔體內的材料容易發生氧化，附著在硅片表面，影響硅片的質量。

實用新型內容

本實用新型實施方式提供的一種雙層加熱腔室，用于原子層沉積裝置，包括第一腔體和第二腔體，所述第一腔體內至少固定容置有1個所述第二腔體，所述第一腔體和所述第二腔體的內壁間隔設置，

所述第一腔體內鋪設有加熱管，所述加熱管包圍所述第二腔體。

本實用新型實施方式的雙層加熱腔室中，加熱管和第二腔體不接觸，加熱管產生的熱量通過第一腔體和第二腔體之間傳遞到第二腔體中，避免第二腔體中的材料在持續高溫環境中發生氧化，附著在第二腔體中的待加工元件表面，影響加工質量。

在某些實施方式中，所述第一腔體和所述第二腔體在同一方向上開設有進出口。

在某些實施方式中，所述第一腔體形成2個子腔體，所述子腔體互不連通，每個所述子腔體內容置有2個所述第二腔體，所述第二腔體相互間隔。

在某些實施方式中，所述第一腔體內的底部設置有架板，所述加熱管鋪設在所述架板上，所述第二腔體底部設置有支撐腳，所述支撐腳固定連接所述架板，所述第二腔體和所述架板間隔。

在某些實施方式中，所述加熱管呈多組陣列設置，每組加熱管呈連續U 型。

在某些實施方式中，所述第一腔體和所述第二腔體之間設置有多個測溫區，所述測溫區均勻分布在所述第一腔體和所述第二腔體之間，所述測溫區內設置有溫度監控元件。

本實用新型提供一種雙層加熱腔體組件，用于原子層沉積裝置，包括如上任一實施方式所述的雙層加熱腔室和門體組件，所述第一腔體和所述第二腔體在同一方向上開設有進出口，所述門體組件上固定設置有載料舟，

所述門體組件通過所述進出口可移動地設置在所述第一腔體中，所述載料舟位于所述第二腔體中。

在某些實施方式中，所述門體組件、所述第一腔體和所述第二腔體之前形成密封空間。

本實用新型實施方式的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

附圖說明

本實用新型的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本實用新型實施方式的原子層沉積裝置的立體結構示意圖；

圖2是本實用新型實施方式的原子層沉積裝置在I處的放大示意圖；

圖3是本實用新型實施方式的雙層加熱腔室的立體結構示意圖；

圖4是本實用新型實施方式的雙層加熱腔室的局部立體結構示意圖。

具體實施方式