[實用新型]一種新型的單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器有效
| 申請號: | 201821617445.4 | 申請日: | 2018-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN209516962U | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發明(設計)人: | 肖文勛;胡建雨;張波;黃子田 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H02M7/5387 | 分類號: | H02M7/5387 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 本實用新型 二極管 非隔離 鉗位 電路 恒定 并網發電系統 光伏并網系統 共模漏電流 反向恢復 分裂電容 共模電壓 關斷損耗 階段電流 鉗位電路 體二極管 拖尾電流 抑制共模 開關管 漏電流 逆變器 關斷 逆變 拓撲 續流 變壓器 替代 環節 | ||
1.一種新型的單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器,其特征在于:包括第一開關管(S1)、第二開關管(S2)、第三開關管(S3)、第四開關管(S4)、第五開關管(S5)、第六開關管(S6)、第七開關管(S7)、第八開關管(S8)、第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)、第三二極管(VD3)、第四二極管(VD4)第一電感(L1)、第二電感(L2)、第一電容(Cdc1)和第二電容(Cdc2);直流母線的正極與第一電容(Cdc1)的一端、第一開關管(S1)的漏極和第三開關管(S3)的漏極連接;第一電容
2.根據權利要求1所述的一種新型的單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器,其特征在于:所述開關管均采用N溝道增強型MOSFET。
3.根據權利要求1所述的一種新型的單相非隔離有源鉗位MOSFET逆變器,其特征在于:第七開關管與第八開關管起鉗位作用,第一電容和第二電容容值相等。
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