[實(shí)用新型]雙氧化層PERC電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821612102.9 | 申請日: | 2018-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN208970515U | 公開(公告)日: | 2019-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉斌;黃輝巍;薛偉;陸曉慧;黃柳柳 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇順風(fēng)新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州知融專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32302 | 代理人: | 路接洲 |
| 地址: | 213000 江蘇省常州市武*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 本實(shí)用新型 單晶硅本體 復(fù)合氧化層 干氧氧化 濕氧氧化 雙氧化層 電池 形貌 電池轉(zhuǎn)換效率 單晶硅 缺陷態(tài)密度 漏電 少子壽命 拋光 頂角 棱邊 絨面 掩膜 去除 制備 金字塔 尖銳 | ||
本實(shí)用新型涉及一種雙氧化層PERC電池,包括單晶硅本體,單晶硅本體的絨面金字塔的表面具有復(fù)合氧化層;復(fù)合氧化層包括濕氧氧化層和干氧氧化層;濕氧氧化層設(shè)置于干氧氧化層的內(nèi)側(cè)。采用本實(shí)用新型可以制備出沒有尖銳的頂角和棱邊的單晶硅形貌,降低缺陷態(tài)密度,提高少子壽命,從而提升電池轉(zhuǎn)換效率,改善電池漏電;可為堿拋光提供掩膜保護(hù),易去除,不需增加額外工序。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種雙氧化層PERC電池。
背景技術(shù)
光伏電池的轉(zhuǎn)換效率是衡量電池質(zhì)量的重要標(biāo)準(zhǔn)。提高電池效率、降低生產(chǎn)成本仍是目前以及未來光伏行業(yè)的首要任務(wù)。PERC電池,即發(fā)射極及背面鈍化電池(PassivatedEmitter and Rear Cell),利用Al2O3等鈍化材料對電池背面進(jìn)行鈍化,可以有效降低背表面復(fù)合,提高開路電壓(Voc),增加背表面反射,提高短路電流(Isc),從而提升電池轉(zhuǎn)換效率。
電池結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是:(1)電池的背面需沉積鈍化膜;(2)背場的鋁漿直接覆蓋在背面鈍化膜上,與硅基體形成局部接觸。該結(jié)構(gòu)使得電池具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)電池背面具有更低的復(fù)合速度,可獲得更高的開路電壓;(2)具有更優(yōu)的紅外背反射性能,可提高短路電流;(3)串聯(lián)電阻增加,填充因子(FF)相對較低。
目前單晶PERC電池工藝流程為:(1)堿制絨(2)磷擴(kuò)散(3)背面酸酸拋光(4)沉積氧化鋁(5)正背面鍍SiNx(6)背面沉積鈍化膜(7)背面激光開槽(8)金屬化(9)燒結(jié)(10)測試。單晶堿制絨的絨面為“金字塔”結(jié)構(gòu),尺寸為1-3μm,“金字塔”塔尖和棱邊較為尖銳,懸掛鍵密集,降低少子壽命,且不利于鈍化層的均勻分布,影響鈍化效果,造成開壓降低,影響電池效率。因此,有必要去掉金字塔塔尖和棱角,對金字塔絨面進(jìn)行圓滑處理。目前圓滑硅片表面金字塔結(jié)構(gòu)主要是利用濕化學(xué)腐蝕法,利用酸堿對金字塔絨面進(jìn)行圓滑。但濕化學(xué)腐蝕法反應(yīng)較為劇烈,不易控制。此外,化學(xué)腐蝕后的廢水容易對環(huán)境造成污染,還需要額外的處理,綜合成本較高。
此外,PERC電池主要采用ALD法在背面制備三氧化二鋁薄膜的方式,所制氧化鋁厚度通常在幾納米,這就要求背面要具有良好的平整性,目前方法主要是對背面進(jìn)行拋光處理。拋光工藝有酸拋光和堿拋光工藝兩種。堿拋光工藝處理的PERC電池背面較常規(guī)酸拋平整,有利于背鈍化以及背面接觸。提高了電池的少子壽命及開路電壓,同時背面形成鏡面增加了長波的內(nèi)反射,也提升了短路電流,所制電池較常規(guī)酸拋工藝效率提升0.1%以上。此外堿拋光廢液容易處理,對環(huán)境污染較小,綜合成本較低。堿拋光工藝拋光速度較為溫和,易于控制,但反應(yīng)反應(yīng)時間也較酸拋光長,需要在槽式機(jī)中進(jìn)行。利用槽式機(jī)拋光需要將硅片兩面完全浸入槽內(nèi),容易對正面擴(kuò)散層造成腐蝕,破壞PN結(jié),大大降低電池效率。為了保護(hù)正面不被腐蝕,目前主要采用添加劑和正面鍍掩膜兩種方式,添加劑效果不太穩(wěn)定,且其中的有機(jī)成分如若去除不干凈也易對電池效率造成影響。目前掩膜法主要是是通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法鍍氮化硅掩膜,當(dāng)?shù)柩谀ぶ旅苄暂^差時,作為堿的腐蝕阻擋層效果并不理想,特別是在絨面尖角處,其氮化硅的覆蓋厚度較其他區(qū)域要薄,堿液會滲透氮化硅而將其下方的PN結(jié)腐蝕掉,從而產(chǎn)生局部漏電,造成電池性能惡化。此外利用氮化硅做掩膜還需增加額外的去掩膜工序,過程繁瑣。且鍍膜后電池電池潔凈度也較差,容易引入雜質(zhì)缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種雙氧化層PERC電池,不僅正面能夠使金字塔絨面尖銳的頂端和棱角平滑,提升電池效率,而且可作為掩膜為背面堿拋光提供保護(hù)。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:一種雙氧化層PERC電池,包括單晶硅本體,所述的單晶硅本體的絨面金字塔的表面具有復(fù)合氧化層;所述的復(fù)合氧化層包括先與絨面金字塔的塔尖以及棱角處反應(yīng)的濕氧氧化層和后用于堿拋光時起掩膜作用的干氧氧化層;所述的濕氧氧化層設(shè)置于干氧氧化層的內(nèi)側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





