[實用新型]一種多晶硅還原爐電極結構有效
| 申請號： | 201821609103.8 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN208948861U | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 劉長圣;呼維軍;陳國輝;張瑜龍;李大偉;王玉麗 | 申請（專利權）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址： | 830011 新疆維吾爾自治區烏魯木齊國*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣功能 電極 多晶硅還原爐 電極結構 絕緣組件 瓷環 密封 本實用新型 緊密貼合 陶瓷粉末 運行過程 電極頭 絕緣套 直筒段 托臺 錐部 延伸 | ||
1.一種多晶硅還原爐電極結構，包括電極(1)和設于電極上的絕緣組件，其特征在于，絕緣組件包括敷設在電極上的絕緣功能層(4)、以及依次套裝在絕緣功能層上的密封瓷環(5)和絕緣套(3)，絕緣功能層處于電極的直筒段從電極頭錐部以下延伸至托臺(8)的位置，其采用陶瓷粉末制成，密封瓷環與絕緣功能層緊密貼合。
2.如權利要求1所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣功能層(4)采用氧化鋁、氮化硅或二氧化鋯粉末制成。
3.如權利要求1所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣功能層(4)的厚度為250-500μm，耐壓范圍為2500-4000v。
4.如權利要求1-3任一項所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，密封瓷環(5)包括能夠覆蓋底盤上的電極安裝孔的上部瓷環和處于電極安裝孔內的下部瓷環，
上部瓷環的長度從電極頭錐部以下延伸至電極安裝孔的頂端，下部瓷環的長度從電極安裝孔的頂端延伸至電極上的托臺(8)。
5.如權利要求4所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，上部瓷環的截面形狀為雙層突肩環。
6.如權利要求4所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，密封瓷環(5)采用氮化硅制成。
7.如權利要求4所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣套(3)處于電極安裝孔中，其上部套裝在密封瓷環的下部瓷環上，其下部向下延伸而與電極的直筒段貼合。
8.如權利要求4所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣組件還包括絕緣環(6)，絕緣環處于電極安裝孔中，并設于絕緣功能層與密封瓷環之間，其長度與密封瓷環的下部瓷環長度相等。
9.如權利要求8所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣組件還包括屏蔽環(2)，屏蔽環罩設在電極上，處于電極安裝孔的上方并覆蓋密封瓷環的上部瓷環。
10.如權利要求9所述的多晶硅還原爐電極結構，其特征在于，絕緣套和絕緣環均采用聚四氟乙烯制成，屏蔽環采用氮化硅或氧化鋁制成。
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