[實用新型]改良的混合式無結型鰭狀晶體管有效
| 申請號： | 201821606189.9 | 申請日： | 2018-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN209045569U | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 李政逵;張進宇;王燕 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張潤 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鰭狀晶體管 結型 源層 源漏區域 大粒徑 襯體 多層 溝道 載流子 改良 模擬電路系統 柵極氧化物層 本實用新型 襯體側面 非結晶硅 固相結晶 有效厚度 有效抑制 高增益 金屬化 氧化層 包覆 淀積 堆棧 浮層 摻雜 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種改良的混合式無結型鰭狀晶體管，其特征在于，包括：
大粒徑，所述大粒徑由非結晶硅在SOI硅片上進行固相結晶獲取；
有源層，所述有源層由電子束光刻定義p-type溝道和n-type襯底構成，其中，浮層的所述有源層的源漏區域包覆在器件兩側以形成無結型鰭狀晶體管，其中，將接點直接置于所述有源層的源漏區域上方，以利用所述n-type襯底的濃度使溝道的有效厚度降低；
柵極，淀積氧化層以形成柵極氧化物層并通過以及金屬化形成所述柵極，其中，將柵極加寬，以包覆所述n-type襯底，形成反轉型鰭狀晶體管，其中，通過改變所述n-type襯底的摻雜濃度來改善I-V特性；
在單一器件里包含所述無結型鰭狀晶體管與所述反轉型鰭狀晶體管以形成混合式無結型鰭狀晶體管其中，堆棧出多層的結構以形成多層的混合型無結型鰭狀晶體管。
2.根據權利要求1中所述的改良的混合式無結型鰭狀晶體管，其特征在于，所述大粒徑由淀積40nm后的非結晶硅在SOI硅片上進行固相再結晶形成。
3.根據權利要求1中所述的改良的混合式無結型鰭狀晶體管，其特征在于，所述n-type襯底由磷元素離子注入SPC層之后以600度熱退火形成。
4.根據權利要求1中所述的改良的混合式無結型鰭狀晶體管，其特征在于，所述p-type溝道由磷元素離子注入SPC層之后以600度熱退火形成。
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