[實用新型]一種自加熱型片式氧傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821606159.8 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN208953481U | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王純強;胡乾;趙鋒;陳志 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇惟哲新材料有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顧朝瑞;楊辰 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陶瓷基片 電極引線 加熱電極 片式氧傳感器 表面電極 參比電極 自加熱 底面 空腔 通孔 絕緣層 本實用新型 氧化鋯基體 向前延伸 氧傳感器 側(cè)面 燒結(jié) 多孔層 外電極 下表面 氧化鋯 剝落 參比 疊壓 覆蓋 電機 | ||
1.一種自加熱型片式氧傳感器，其包括自下而上依次疊壓的陶瓷基片一、陶瓷基片二、陶瓷基片三和陶瓷基片四，所述陶瓷基片一的底部開設(shè)有通孔一且其底面上對應(yīng)所述通孔一固定有表面電極一，所述陶瓷基片四的頂部開設(shè)有通孔二且其頂面上對應(yīng)所述通孔二固定有表面電極二，所述陶瓷基片一和所述陶瓷基片二之間設(shè)置有加熱電極且所述加熱電極的上、下表面均覆蓋有絕緣層，所述加熱電極的尾部通過所述通孔一引出至所述表面電極一，所述陶瓷基片三自尾部設(shè)有向前延伸的空腔，參比電極和電極引線位于所述空腔內(nèi)并燒結(jié)固定在所述陶瓷基片四的底面上，所述參比電極與所述電極引線連接，所述電極引線的尾部通過所述通孔二引出至所述表面電極二，所述陶瓷基片四的頂面上還固定有外電極；其特征在于： 所述參比電極的左、右、后三側(cè)面及其底面以及所述電極引線的左、右、后三側(cè)面及其底面均覆蓋有與所述陶瓷基片四相同組成的氧化鋯多孔層，且所述氧化鋯多孔層與所述陶瓷基片四的底面燒結(jié)固定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述陶瓷基片一、所述陶瓷基片二、所述陶瓷基片三和所述陶瓷基片四的尺寸和組成相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述空腔沿所述陶瓷基片三的長度方向延伸并位于所述陶瓷基片三的寬度方向的中部，所述空腔的高度等于所述陶瓷基片三的厚度，所述參比電極位于所述空腔的前部且其后端連接所述電極引線，所述參比電極和所述電極引線在所述空腔內(nèi)均居中設(shè)置，所述參比電極與所述氧化鋯多孔層所形成的整體的寬度小于或等于所述空腔的寬度，所述參比電極與所述氧化鋯多孔層所形成的整體的高度小于所述空腔的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述氧化鋯多孔層的厚度為10um~40um。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述空腔的高度為0.1mm~0.3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述通孔一設(shè)置在所述陶瓷基片一的后端底面上，所述通孔二與所述通孔一上下正對設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自加熱型片式氧傳感器，其特征在于：所述外電極設(shè)置在所述陶瓷基片四的前端頂面上，所述外電極的外部覆蓋有多孔保護層，所述多孔保護層為氧化鋯層、氧化鋁層或氧化鋯與氧化鋁的混合物層。
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